Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

21 марта 2017

управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCLED

Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS™ P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon.

Целевым применением MOSFET серии P7 являются изолированные AC-DC и DC-DC преобразователи, которые строятся на базе топологий Flyback и Forward с мощностью до 250-300 Вт. Семейство P7 будет интересно в первую очередь разработчикам, которые разрабатывают светодиодные драйверы, сетевые источники электропитания небольшой мощности, а также источники бесперебойного питания для слаботочного оборудования.

Динамические параметры MOSFET P7 с напряжением 800 В удалось уменьшить более чем на 50%, по сравнению с предыдущими семействами С3 и CE. Благодаря этому, потери выключения транзисторов существенно снижены, что дает разработчикам отличный задел для увеличения частоты коммутации преобразователей с последующим уменьшением габаритов конечного изделия.

Наименование Vdss, В Корпус Rds(on) тип./макс.@ 10Vgs, Ом Ток Id @ 25°C, A Ток Id @ 100°C, A Qg, нКл
IPD80R280P7 800 D-PAK 0.24 / 0.28 17.0 10.6 36
IPD80R450P7 0.38 / 0.45 11.0 7.1 24
IPD80R1K4P7 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPD80R4K5P7 3.8 / 4.5 1.5 1.0 4
IPU80R1K4P7 I-PAK 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPU80R4K5P7 3.8 / 4.5 1.5 1.0 4
IPS80R1K4P7 I-PAK SL 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPP80R280P7 TO-220 0.24 / 0.28 17.0 10.6 36
IPP80R450P7 0.38 / 0.45 11.0 7.1 24
IPP80R1K4P7 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPA80R280P7 TO-220 FP 0.24 / 0.28 17.0 10.6 36
IPA80R450P7 0.38 / 0.45 11.0 7.1 24
IPA80R1K4P7 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPW80R280P7 TO-247 0.24 / 0.28 17.0 10.6 36

Таблица 1. Технические параметры MOSFET серии P7

Технические преимущества:

  • Лучшее на рынке соотношение FOM – Rds(on) * Eoss;
  • Существенно снижены (по сравнению с предыдущим поколением) показатели Qg, Ciss, Coss;
  • Повышение КПД конечных устройств до 0,6% и снижение температуры корпуса до 8°С по сравнению с ближайшими аналогами других производителей;
  • Самый низкий на рынке параметр Vgs(th) 3 В с малым разбросом ±0,5 В;
  • Встроенная защита затвора от электростатического разряда (2-й класс защиты по HBМ).

 

 

 

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт. В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню р ...читать далее

Товары
Наименование
IPD80R280P7ATMA1 (INFIN)
IPD80R450P7ATMA1 (INFIN)
IPD80R1K4P7ATMA1 (INFIN)
IPD80R4K5P7ATMA1 (INFIN)
IPU80R1K4P7AKMA1 (INFIN)
IPU80R4K5P7AKMA1 (INFIN)
IPS80R1K4P7AKMA1 (ROCH)