Новые 800V MOSFET P7 CoolMOS™ от Infineon

21 марта 2017

управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCLED

Компания Infineon выпустила новое семейство P7 высоковольтных MOSFET на напряжение 800 В. Транзисторы серии CoolMOS™ P7 – это новый виток развития технологии Superjuction, пионером которой и являлся Infineon.

Целевым применением MOSFET серии P7 являются изолированные AC-DC и DC-DC преобразователи, которые строятся на базе топологий Flyback и Forward с мощностью до 250-300 Вт. Семейство P7 будет интересно в первую очередь разработчикам, которые разрабатывают светодиодные драйверы, сетевые источники электропитания небольшой мощности, а также источники бесперебойного питания для слаботочного оборудования.

Динамические параметры MOSFET P7 с напряжением 800 В удалось уменьшить более чем на 50%, по сравнению с предыдущими семействами С3 и CE. Благодаря этому, потери выключения транзисторов существенно снижены, что дает разработчикам отличный задел для увеличения частоты коммутации преобразователей с последующим уменьшением габаритов конечного изделия.

Наименование Vdss, В Корпус Rds(on) тип./макс.@ 10Vgs, Ом Ток Id @ 25°C, A Ток Id @ 100°C, A Qg, нКл
IPD80R280P7 800 D-PAK 0.24 / 0.28 17.0 10.6 36
IPD80R450P7 0.38 / 0.45 11.0 7.1 24
IPD80R1K4P7 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPD80R4K5P7 3.8 / 4.5 1.5 1.0 4
IPU80R1K4P7 I-PAK 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPU80R4K5P7 3.8 / 4.5 1.5 1.0 4
IPS80R1K4P7 I-PAK SL 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPP80R280P7 TO-220 0.24 / 0.28 17.0 10.6 36
IPP80R450P7 0.38 / 0.45 11.0 7.1 24
IPP80R1K4P7 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPA80R280P7 TO-220 FP 0.24 / 0.28 17.0 10.6 36
IPA80R450P7 0.38 / 0.45 11.0 7.1 24
IPA80R1K4P7 1.2 / 1.4 4.0 2.7 10
IPW80R280P7 TO-247 0.24 / 0.28 17.0 10.6 36

Таблица 1. Технические параметры MOSFET серии P7

Технические преимущества:

  • Лучшее на рынке соотношение FOM – Rds(on) * Eoss;
  • Существенно снижены (по сравнению с предыдущим поколением) показатели Qg, Ciss, Coss;
  • Повышение КПД конечных устройств до 0,6% и снижение температуры корпуса до 8°С по сравнению с ближайшими аналогами других производителей;
  • Самый низкий на рынке параметр Vgs(th) 3 В с малым разбросом ±0,5 В;
  • Встроенная защита затвора от электростатического разряда (2-й класс защиты по HBМ).

 

 

 

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IPD80R280P7ATMA1 (INFIN)
IPD80R450P7ATMA1 (INFIN)
IPD80R1K4P7ATMA1 (INFIN)
IPD80R4K5P7ATMA1 (INFIN)
IPU80R1K4P7AKMA1 (INFIN)
IPU80R4K5P7AKMA1 (INFIN)
IPS80R1K4P7AKMA1 (INFIN)