Первый в мире 1000V SiC MOSFET

19 июля 2017

управление питаниемCREE POWERновостьдискретные полупроводникиSiCMOSFET

Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфолио новыми приборами.

Класс напряжения новых карбид-кремниевых транзисторов 1000 В позволяет проявить определенную гибкость в разработке изделий. Такой номинал напряжения, во-первых, охватывает большинство основных топологий силовых устройств. Во-вторых, для многих приложений уже нет необходимости использовать приборы на 1200 В, которые, как правило, более дорогие.

В течение последних 5 лет SiC MOSFET нашли свою нишу в силовых преобразователях для альтернативной энергетики, промышленных источниках питания и зарядных станциях электротранспорта, во многих случаях заменяя кремниевые IGBT. Карбид-кремниевые транзисторы превосходят традиционные кремниевые полевые транзисторы по основному технологическому показателю качества – Figure–Of–Merit (FOM определяется как Rds(on)·Qgate).

SiC MOSFET 3-го поколения:

Наименование Vds(max) (В) Rds(on) @ 25°C (мОм) Ток Id @ 25°C (А) Корпус
C3M0065090J 900 65 35 D2PAK-7
C3M0065090D 65 36 TO-247-3
C3M0120090D 120 23 TO-247-3
C3M0120090J 120 22 D2PAK-7
C3M0280090J 280 11.5 D2PAK-7
C3M0280090D 280 11.5 TO-247-3
C3M0065100K 1000 65 35 TO247-4
C3M0065100J 65 35 D2PAK-7
C3M0120100K 120 22 TO247-4
C3M0120100J 120 22 D2PAK-7

Технические особенности:

  • Новейшая технология производства кристаллов SiCC3M™;
  • Уменьшение паразитной индуктивности вывода за счет соединения Кельвина цепи управления транзистором;
  • Расстояние утечки тока по поверхности корпуса между стоком и истоком (Creepage distance) – 7 мм (корпус D2PAK-7L) и 8 мм (корпус TO247-4L);
  • Высокое блокирующее напряжение Vds(max) при низком сопротивлении Rds(on);
  • Работа преобразователей на высокой частоте коммутации;
  • Сверхнизкий заряд обратного восстановления диода Qrr;
  • Ультра-низкая выходная ёмкость Сoss приборов – не более 60 пФ позволяет существенно снизить потери переключения транзистора;
  • Стойкость транзистора к лавинному пробою.

Системные преимущества:

  • Снижение потерь переключения на порядок (по сравнению с Si-IGBT);
  • Меньше мощность потерь – ниже требования к системе охлаждения;
  • Высокая частота коммутации позволяет уменьшить размеры компонентов и, следовательно, удешевить их;
  • Обеспечение более высоких удельных показателей преобразователей;
  • Значительное повышение КПД преобразователя и уменьшение требований к системе охлаждения.

Целевые применения:

  • Инверторы напряжения;
  • Зарядные устройства;
  • Промышленные источники питания;
  • Высоковольтные DC-DC преобразователи.
•••

Наши информационные каналы

О компании WOLFSPEED (A Cree Company)

Компания Wolfspeed, входящая в структуру CREE Inc., является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами. Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое быстродействие, радиационная стойкость. В настоящее время Wolfspeed производит высоковольтные SiC ди ...читать далее

Товары
Наименование
C3M0065100K (CREE PWR)
C3M0065100J (CREE PWR)
C3M0120100K (CREE PWR)
C3M0120100J (CREE PWR)
C3M0065090J-TR (CREE PWR)
C3M0065090D (CREE PWR)
C3M0120090D (CREE PWR)
C3M0120090J (CREE PWR)
C3M0280090J (CREE PWR)
C3M0280090D (CREE PWR)
Поиск по параметрам
Карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed