OptiMOS™ 5 150V – новое слово в области низковольных MOSFET

2 августа 2017

управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFET

Линейка MOSFET транзисторов Infineon OptiMOS™ 5 на 150В находит свое применение в низковольтных преобразователях мощности. Транзисторы новой серии получили улучшенное сопротивление RDS(on), что дает значительное уменьшение потерь проводимости. Вместе с этим становится возможным применять прибор в меньшем корпусе, например, заменить TO-220 на D2PAK или два Super SO-8. Такая замена позволит увеличить плотность мощности и снизить выбросы перенапряжения, связанные с паразитной индуктивностью корпуса.

Динамические характеристики новых MOSFET OptiMOS™ 5 на 150В также значительно улучшились. Такие параметры, как FOMOSS (для заряда в выходной емкости), FOMG (для заряда затвора) и FOMGD (заряд емкости затвор-сток) были оптимизированы по сравнению с предыдущей линейкой OptiMOS™ 3.

Сравнение OptiMOS 5 и ближайших лучших аналогов по сопротивлению открытого канала и заряду восстановления

Сравнение OptiMOS 5 и ближайших лучших аналогов по сопротивлению открытого канала и заряду восстановления

Низкий заряд обратного восстановления MOSFET OptiMOS™ 5 (минимальное значение для корпуса Super SO-8 26 нКл) позволяет повысить надежность при коммутациях с использованием встроенного диода и снизить выбросы перенапряжения.

Транзисторы линейки OptiMOS™ 5 на 150В представлены в 6 корпусах.

RDS(on)MAX, мОм
@VGS=10 В
D2PAK D2PAK7pin TO-262 TO-220 PQFN3.3x3.3 SuperSO8PQFN5x6
TO-263 (D2PAK) TO-263-7 (D2PAK-7) TO-262 (I2PAK) TO-220 PQFN 3.3×3.3 SuperS08 (PQFN 5×6)
4,0-5,1 IPB048N15N5
4,8 мОм
IPB044N15N5
4,4 мОм
IPI051N15N5
5,1 мОм
 IPP051N15N5
5,1 мОм
5,2-11,0 IPB073N15N5
7,3 мОм
IPB060N15N5
6 мОм
IPI076N15N5
7,6 мОм
IPP076N15N5
7.6 мОм
BSC093N15NS5
9,3 мОм
BSC110N15NS5
11 мОм
>11,0  BSZ300N15NS5
30 мОм
BSC160N15NS5
16 мОм

Особенности OptiMOS™ 5 на 150В:

  • Снижение значение RDS(on) ;
  • Оптимизированные значения FOMOSS, FOMG и FOMGD;
  • Сверхнизкий заряд обратного восстановления Qrr;
  • Возможность коммутации на более высоких частотах;
  • Высокая надежность при коммутации и низкий уровень электромагнитных помех.

Преимущества OptiMOS™ 5 на 150В:

  • Переход к использованию меньших корпусов;
  • Меньшее количество элементов при параллельном соединении;
  • Большая плотность мощности;
  • Увеличенная надёжность устройств;
  • Уменьшение стоимости конечного изделия;
  • Снижение уровня электромагнитных помех.
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт. В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню р ...читать далее

Товары
Наименование
IPB048N15N5ATMA1 (INFIN)
IPB073N15N5ATMA1 (INFIN)
IPB044N15N5ATMA1 (INFIN)
IPI076N15N5AKSA1 (INFIN)
IPP051N15N5AKSA1 (INFIN)
IPP076N15N5AKSA1 (INFIN)
BSC110N15NS5ATMA1 (INFIN)
BSC160N15NS5ATMA1 (INFIN)
Поиск по параметрам
MOSFET транзисторы Infineon