OptiMOS™ 5 150V – новое слово в области низковольных MOSFET

2 августа 2017

Линейка MOSFET транзисторов Infineon OptiMOS™ 5 на 150В находит свое применение в низковольтных преобразователях мощности. Транзисторы новой серии получили улучшенное сопротивление R_DS(on), что дает значительное уменьшение потерь проводимости. Вместе с этим становится возможным применять прибор в меньшем корпусе, например, заменить TO-220 на D²PAK или два Super SO-8. Такая замена позволит увеличить плотность мощности и снизить выбросы перенапряжения, связанные с паразитной индуктивностью корпуса.

Динамические характеристики новых MOSFET OptiMOS™ 5 на 150В также значительно улучшились. Такие параметры, как FOM_OSS (для заряда в выходной емкости), FOM_G (для заряда затвора) и FOM_GD (заряд емкости затвор-сток) были оптимизированы по сравнению с предыдущей линейкой OptiMOS™ 3.

Сравнение OptiMOS 5 и ближайших лучших аналогов по сопротивлению открытого канала и заряду восстановления

Низкий заряд обратного восстановления MOSFET OptiMOS™ 5 (минимальное значение для корпуса Super SO-8 26 нКл) позволяет повысить надежность при коммутациях с использованием встроенного диода и снизить выбросы перенапряжения.

Транзисторы линейки OptiMOS™ 5 на 150В представлены в 6 корпусах.

RDS(on)MAX, мОм @VGS=10 В
	TO-263 (D2PAK)	TO-263-7 (D2PAK-7)	TO-262 (I2PAK)	TO-220	PQFN 3.3×3.3	SuperS08 (PQFN 5×6)
4,0-5,1	IPB048N15N5 4,8 мОм	IPB044N15N5 4,4 мОм	IPI051N15N5 5,1 мОм	IPP051N15N5 5,1 мОм
5,2-11,0	IPB073N15N5 7,3 мОм	IPB060N15N5 6 мОм	IPI076N15N5 7,6 мОм	IPP076N15N5 7.6 мОм		BSC093N15NS5 9,3 мОм
						BSC110N15NS5 11 мОм
>11,0					BSZ300N15NS5 30 мОм	BSC160N15NS5 16 мОм

Особенности OptiMOS™ 5 на 150В:

• Снижение значение R_DS(on) ;
• Оптимизированные значения FOM_OSS, FOM_G и FOM_GD;
• Сверхнизкий заряд обратного восстановления Q_rr;
• Возможность коммутации на более высоких частотах;
• Высокая надежность при коммутации и низкий уровень электромагнитных помех.

Преимущества OptiMOS™ 5 на 150В:

• Переход к использованию меньших корпусов;
• Меньшее количество элементов при параллельном соединении;
• Большая плотность мощности;
• Увеличенная надёжность устройств;
• Уменьшение стоимости конечного изделия;
• Снижение уровня электромагнитных помех.