Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

4 апреля 2018

телекоммуникациисветотехникауправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFET

Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO-220 FP Narrow Lead и SOT-223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы в корпусе DPAK теперь представлены в очень широком диапазоне сопротивлений канала с нижней границей 280 мОм.

Отличительной особенностью 800 В MOSFET CoolMOS P7 является снижение более чем на 50% параметров EOSS и QG, а также уменьшение паразитных емкостей CISS и COSS по сравнению с предыдущим поколением CoolMOS С3. Все приборы семейства 800 В MOSFET CoolMOS P7 оснащены ESD защитой в цепи затвора.

Использование 800 В MOSFET CoolMOS P7 в корпусе SOT-223 позволяет реализовать более компактное и дешевое решение, по сравнению с применением транзисторов в корпусе DPAK. Как видно из примера (рисунок ниже), при установке SOT-223 на посадочное место DPAK разница в температуре на корпусе составит всего 2,8°С. А в случае, если компоновка платы позволяет увеличить площадь контакта под выводом стока до 60 мм², разница в нагреве становится равной нулю.

Сравнение нагрева транзисторов в корпусах DPAK и SOT-223

Сравнение нагрева транзисторов в корпусах DPAK и SOT-223

Особенности 800 В MOSFET CoolMOS™ P7

  • лучшее соотношение RDS(ON)*EOSS среди конкурентов;
  • значительное улучшение динамических параметров QG, CISS, COSS по сравнению с предыдущим поколением;
  • пороговое напряжение затвора 3 В ±0,5 В;
  • встроенная ESD защита цепи затвора;
  • широкая номенклатура корпусов и типовых сопротивлений канала.

Целевые применения

  • LED драйверы;
  • источники питания собственных нужд;
  • зарядные устройства/адаптеры для портативной электроники;
  • цепи высоковольтного запуска (High Voltage Start Up) источников питания.
RDS(on), мОм TO-247 TO-220 FP TO-220 FP narrow lead TO-220 TO-251 IPAK Long lead TO-251 IPAK short lead TO-252 DPAK SOT-223
4500 IPU80R4K5P7 IPD80R4K5P7 IPN80R4K5P7
3300 IPU80R3K3P7 IPD80R3K3P7 IPN80R3K3P7
2400 IPU80R2K4P7 IPS80R2K4P7 IPD80R2K4P7 IPN80R2K4P7
2000 IPU80R2K0P7 IPS80R2K0P7 IPD80R2K0P7 IPN80R2K0P7
1400 IPA80R1K4P7 IPP80R1K4P7 IPU80R1K4P7 IPS80R1K4P7 IPD80R1K4P7 IPN80R1K4P7
1200 IPA80R1K2P7 IPP80R1K2P7 IPU80R1K2P7 IPS80R1K2P7 IPD80R1K2P7 IPN80R1K2P7
900 IPA80R900P7 IPP80R900P7 IPU80R900P7 IPS80R900P7 IPD80R900P7 IPN80R900P7
750 IPA80R750P7 IPP80R750P7 IPU80R750P7 IPS80R750P7 IPD80R750P7 IPN80R750P7
600 IPA80R600P7 IPP80R600P7 IPU80R600P7 IPS80R600P7 IPD80R600P7 IPN80R600P7
450 IPA80R450P7 IPAN80R450P7 IPP80R450P7 IPD80R450P7
360 IPW80R360P7 IPA80R360P7 IPAN80R360P7 IPP80R360P7 IPD80R360P7
280 IPW80R280P7 IPA80R280P7 IPAN80R280P7 IPP80R280P7 IPD80R280P7

Материалы по теме

Новости

Статьи

Презентации

•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт.  В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню ...читать далее

Товары
Наименование
IPAN80R450P7XKSA1 (INFIN)
IPA80R900P7XKSA1 (INFIN)
IPD80R900P7ATMA1 (INFIN)
IPP80R900P7XKSA1 (INFIN)
IPA80R360P7XKSA1 (INFIN)
IPD80R360P7ATMA1 (INFIN)
IPP80R360P7XKSA1 (INFIN)
IPW80R360P7XKSA1 (INFIN)
IPD80R2K0P7ATMA1 (INFIN)
IPD80R3K3P7ATMA1 (INFIN)
Поиск по параметрам
800 В MOSFET Infineon