CoolMOS C7 Gold — флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon
21 июня 2018
Семейство CoolMOS™ C7 Gold (или G7) является на данный момент наиболее технологичным в портфолио высоковольтных MOSFET транзисторов от Infineon и включает в себя варианты на 600 В и 650 В в SMD корпусе TOLL (от английского TO Leadless). 600 В транзисторы являются универсальными и могут применяться как в схемах с жесткой коммутацией (к примеру, в корректорах коэффициента мощности), так и в резонансных (LLC, Phase Shift), а 650 В транзисторы предназначены для работы только в схемах с жесткой коммутацией.
Кристаллы новых MOSFET транзисторов выполнены по современной технологии С7 Gold, обеспечивающей низкие значения заряда затвора и паразитных емкостей, что позволяет коммутировать транзистор на высоких частотах.
Новый корпус SMD TOLL обеспечивает снижение RthJC до 20% по сравнению с корпусом D²PAK при меньших габаритных и посадочных размерах. Кроме того, корпус TOLL обладает дополнительным выводом истока, предназначенным для цепи управления транзистором (цепи драйвера), что позволяет исключить паразитную индуктивность силового вывода из цепи управления, а значит снизить динамические потери. В выводах корпуса TOLL сделаны специальные канавки для возможности визуального контроля качества пайки AOI (Automatic Optical Inspection), а также для увеличения качества смачивания припоем места пайки.
Эти преимущества позволяют конкурировать приборам линейки CoolMOS C7 Gold с выводными транзисторами в корпусах TO-247 и TO-220, открывая возможность к использованию SMD корпусов в устройствах средней и высокой мощности (например, 3 кВт CCM PFC).
Наименование | Напряжение, В | Номинальный ток, TC=100°C, А | RDS(on)max, мОм | QG, нКл | Корпус |
---|---|---|---|---|---|
IPT60R028G7 | 600 | 47 | 28 | 123 | PG-HSOF-8 |
IPT60R050G7 | 600 | 28 | 50 | 68 | |
IPT60R080G7 | 650 | 18 | 80 | 42 | |
IPT60R102G7 | 600 | 15 | 102 | 34 | |
IPT60R125G7 | 600 | 12 | 125 | 27 | |
IPT60R150G7 | 600 | 11 | 150 | 23 | |
IPT65R033G7 | 650 | 44 | 33 | 110 | |
IPT65R105G7 | 650 | 16 | 105 | 35 | |
IPT65R195G7 | 650 | 9 | 195 | 20 |
Особенности линейки 600/650 В MOSFET CoolMOS™ C7 Gold
- Лучшие в классе показатели FOM RDS(on) x EOSS и RDS(on) x QG;
- Низкоиндуктивный (~1нГн) вывод истока для управления;
- На 20% лучшее чем у D²PAK тепловое сопротивление RthJC;
- Снижение на 30% занимаемой площади на печатной плате по сравнению с D²PAK;
- Канавки на выводах для визуального контроля качества пайки AOI.
Целевые применения
- Импульсные источники питания различного назначения;
- Источники питания для телекоммуникационного оборудования;
- Инверторы для солнечных батарей.
Статья по теме
«Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе – реальность!»
Другие материалы
- 650 В MOSFET в корпусе TOLL (1.92 Мб)
- 600 В CoolMOS™ C7 Gold (G7): руководство по применению (2.67 Мб)
Наши информационные каналы