CoolMOS C7 Gold — флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon

21 июня 2018

телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFET

Семейство CoolMOS™ C7 Gold (или G7) является на данный момент наиболее технологичным в портфолио высоковольтных MOSFET транзисторов от Infineon и включает в себя варианты на 600 В и 650 В в SMD корпусе TOLL (от английского TO Leadless). 600 В транзисторы являются универсальными и могут применяться как в схемах с жесткой коммутацией (к примеру, в корректорах коэффициента мощности), так и в резонансных (LLC, Phase Shift), а 650 В транзисторы предназначены для работы только в схемах с жесткой коммутацией.

Кристаллы новых MOSFET транзисторов выполнены по современной технологии С7 Gold, обеспечивающей низкие значения заряда затвора и паразитных емкостей, что позволяет коммутировать транзистор на высоких частотах.

Новый корпус SMD TOLL обеспечивает снижение RthJC до 20% по сравнению с корпусом D²PAK при меньших габаритных и посадочных размерах. Кроме того, корпус TOLL обладает дополнительным выводом истока, предназначенным для цепи управления транзистором (цепи драйвера), что позволяет исключить паразитную индуктивность силового вывода из цепи управления, а значит снизить динамические потери. В выводах корпуса TOLL сделаны специальные канавки для возможности визуального контроля качества пайки AOI (Automatic Optical Inspection), а также для увеличения качества смачивания припоем места пайки.

Внутренняя конструкция корпуса TOLL

Внутренняя конструкция корпуса TOLL

Эти преимущества позволяют конкурировать приборам линейки CoolMOS C7 Gold с выводными транзисторами в корпусах TO-247 и TO-220, открывая возможность к использованию SMD корпусов в устройствах средней и высокой мощности (например, 3 кВт CCM PFC).

Сравнение КПД преобразователя при использовании MOSFET в корпусе TO-247 и TOLL

Сравнение КПД преобразователя при использовании MOSFET в корпусе TO-247 и TOLL

 

Наименование Напряжение, В Номинальный ток, TC=100°C, А RDS(on)max, мОм QG, нКл Корпус
IPT60R028G7 600 47 28 123 PG-HSOF-8
IPT60R050G7 600 28 50 68
IPT60R080G7 650 18 80 42
IPT60R102G7 600 15 102 34
IPT60R125G7 600 12 125 27
IPT60R150G7 600 11 150 23
IPT65R033G7 650 44 33 110
IPT65R105G7 650 16 105 35
IPT65R195G7 650 9 195 20

Особенности линейки 600/650 В MOSFET CoolMOS™ C7 Gold

  • Лучшие в классе показатели FOM RDS(on) x EOSS и RDS(on) x QG;
  • Низкоиндуктивный (~1нГн) вывод истока для управления;
  • На 20% лучшее чем у D²PAK тепловое сопротивление RthJC;
  • Снижение на 30% занимаемой площади на печатной плате по сравнению с D²PAK;
  • Канавки на выводах для визуального контроля качества пайки AOI.

Целевые применения

  • Импульсные источники питания различного назначения;
  • Источники питания для телекоммуникационного оборудования;
  • Инверторы для солнечных батарей.

Статья по теме

«Высоковольтные MOSFET в SMD-корпусе – реальность!»

Другие материалы
•••

Наши информационные каналы

О компании Infineon

Компания Infineon является мировым лидером по производству силовых полупроводниковых компонентов, а также занимает ведущие позиции по производству автомобильной полупроводниковой электроники и смарт-карт. В 2015 году компания Infineon приобрела компанию International Rectifier, тем самым значительно усилив свои лидирующие позиции в области силовой электроники. Это сочетание открывает новые возможности для клиентов, так как обе компании превосходно дополняют друг друга благодаря высокому уровню р ...читать далее

Товары
Наименование
IPT65R195G7XTMA1 (INFIN)
IPT60R150G7XTMA1 (INFIN)
IPT60R125G7XTMA1 (INFIN)
IPT60R028G7XTMA1 (INFIN)
IPT60R080G7XTMA1 (INFIN)
IPT60R102G7XTMA1 (INFIN)
IPT60R050G7XTMA1 (INFIN)
IPT65R033G7XTMA1 (INFIN)
IPT65R105G7XTMA1 (INFIN)
Поиск по параметрам
MOSFET линейки С7 Gold (G7)