Новые 1200V SiC MOSFET третьего поколения C3M от Wolfspeed
3 августа 2018
Компания Wolfspeed (CREE POWER) продолжает расширять семейство SiC MOSFET третьего поколения C3M, представив транзисторы на 1200 В с сопротивлением канала 75 мОм в корпусах TO-247-4L (C3M0075120K) и TO-263-7L (C3M0075120J).
Приборы оснащены дополнительным выводом эмиттера (т.н. вывод Кельвина), благодаря чему коммутационные потери могут быть значительно снижены. Как видно из рисунка ниже, потери на включение транзистора в трехвыводном корпусе TO-247 и (как следствие) общие динамические потери сильно зависят от тока сток-исток.
Применяя корпуса TO-247-4L и TO-263-7L, можно добиться значительного снижения мощности потерь, особенно, при работе в номинальном режиме. Кроме того, у данных корпусов увеличен изоляционный промежуток между силовыми выводами сток-исток, что позволяет использовать приборы в условиях повышенной загрязнённости среды
Новое третье поколение чипов C3M™ отличается меньшим размеров полупроводниковой ячейки, что позволяет снизить сопротивление канала, а также цену конечного продукта. Кроме того, теперь для включения транзистора достаточно напряжения +15 В, что дает возможность использования для управления MOSFET широкой номенклатуры стандартных драйверов. Также была значительно улучшена температурная стабильность сопротивления канала, т.о. позволяя снизить статические потери в рабочем режиме транзистора.
Особенности 1200 В SiC MOSFET в корпусах TO-247-4L и TO-263-7L
• Новое поколение кристаллов C3M;
• Корпус с дополнительным выводом истока;
• Увеличенный изоляционный промежуток между стоком и истоком;
• Высокая скорость коммутации и низкие значения паразитных емкостей;
• Быстрый встроенный диод с малым временем обратного восстановления Qrr;
• Малая температурная зависимость Rds(on).
Целевые применения
• Импульсные источники питания;
• Высоковольтные DC/DC преобразователи;
• Зарядные устройства;
• Преобразователи для возобновляемых источников энергии.
Наши информационные каналы