1200V SiC диоды Шоттки нового поколения C4D в корпусе TO-247-2 от Wolfspeed

14 августа 2018

управление питаниемCreeновостьдискретные полупроводникиAC-DC

Компания Wolfspeed (CREE POWER) пополнила семейство 1200 В SiC диодов Шоттки, представив диоды нового поколения C4D в корпусе TO-247-2 на номинальные токи 10 А (C4D10120H), 15 А (C4D15120H) и 20 А (C4D20120H). Данный корпус отличается увеличенным изоляционным расстоянием между анодом и катодом, что позволяет использовать его в условиях загрязненных сред или устройствах уличного исполнения. Длина пути тока утечки по поверхности между выводами составляет величину не меньшую, чем 8 мм, что в 2 и 2,5 раза больше, чем в корпусах TO-247-3 и TO-220-2, соответственно.

В новом поколении карбид-кремниевых диодов Шоттки компании Wolfspeed (CREE POWER) применена технология MPS (Merged PiN Shottky). Благодаря наличию изолированных p+ областей вблизи барьера Шоттки, представляющих собой PiN диоды, удалось снизить токи утечки и повысить стойкость к импульсным перегрузкам по току.

MPS структура диода Шоттки и пути протекания тока

MPS структура диода Шоттки и пути протекания тока

Как видно из рисунка ниже, диод без MPS при повышении тока постепенно переходит в насыщение, т.е. при малом приросте прямого тока напряжение на диоде быстро возрастает, что в конечном счете приводит к тепловому пробою. В диоде с MPS структурой при достижении определенного критического значения прямого тока открываются встроенные PiN диоды, забирая на себя большую часть импульсного тока. Таким образом, повышается стойкость новых приборов к импульсным перегрузкам по току.

ВАХ диода с структурой MPS и без нее при воздействии импульсных токов

ВАХ диода с структурой MPS и без нее при воздействии импульсных токов

Особенности 1200 В SiC диодов Шоттки поколения C4D в корпусах TO-247-2

• Увеличенное изоляционное расстояние между выводами;
• Применение в условиях загрязненных сред или устройствах уличного исполнения;
• Высокая частота коммутации;
• Положительный температурный коэффициент Vf;
• Низкие токи утечки и высокая стойкость к импульсным перегрузкам по току.

Целевые применения

• Промышленные импульсные источники питания (PFC, AC/DC, DC/DC);
• Зарядные станции для электротранспорта и бортовые зарядные устройства;
• Инверторы для солнечной энергетики.

•••

Наши информационные каналы

О компании WOLFSPEED (A Cree Company)

Компания Wolfspeed, входящая в структуру CREE Inc., является мировым лидером в производстве полупроводниковых кристаллов из карбида кремния (SiC) и приборов на их основе. Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе карбида кремния обладают рядом преимуществ по сравнению с аналогичными кремниевыми приборами. Среди них – рабочая температура кристалла до 600°С, высокое быстродействие, радиационная стойкость. В настоящее время Wolfspeed производит высоковольтные SiC ди ...читать далее

Товары
Наименование
C4D10120H (CREE PWR)
C4D15120H (CREE PWR)
C4D20120H (CREE PWR)
C4D20120H (CREE)
Поиск по параметрам
SiC диоды Шоттки Wolfspeed (CREE POWER)