Статьи Записей: 9, Страница: 1 из 1

31 мая

Три ступени Bourns, включая TBU – защита RS-485 от импульсных перенапряжений

Сергей Сотников (КОМПЭЛ) Порты популярнейшего интерфейса RS-485 могут эксплуатироваться в очень жестких электромагнитных условиях. Компания Bourns предлагает наиболее надежную трехступенчатую схему защиты RS-485 на базе быстродействующих... ...читать

Рубрики: статья
29 апреля 2019

Пассивные компоненты для передовых разработок

Компания КОМПЭЛ поставляет большую линейку пассивных электронных компонентов – от конденсаторов, резисторов и индуктивностей до пассивных фильтров, специальных компонентов защиты и тактирующих компонентов. В заметке приведены полезные ссылки для... ...читать

Рубрики: статья
01 марта 2019

Строим оптимальную беспроводную сеть при помощи STM32WB

Новый двухъядерный микроконтроллер STM32WB производства STMicroelectronics с беспроводной связью на борту – ворота в мир интернета вещей для разработчиков электроники. Семейство STM32 на сегодняшний день насчитывает 799 различных... ...читать

Рубрики: статья
29 декабря 2018

Определение длительности мертвого времени для инверторов на основе IGBT

Инверторы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) все чаще используются в современной технике. Одной из проблем, возникающей при их проектировании, является возможность возникновения сквозных токов, что приводит к... ...читать

Рубрики: статья
07 декабря 2018

Силовые модули IGBT производства Infineon. Разъяснение информации, приводимой в технических условиях

В документе компании Infineon приводится подробное разъяснение всех понятий, терминов и формул, приводимых в технических условиях силовых модулей IGBT. Будет полезно всем разработчикам силовой электроники. Информация, приведенная в данной статье,... ...читать

Рубрики: статья
28 ноября 2018

Параллельное включение модулей EconoPACK+

Популярные силовые модули EconoPACK™+на базе IGBT производства Infineon при реализации различных силовых устройств часто требуется включать по сдвоенной и строенной трехфазной схеме. О правилах, которые следует при этом соблюдать,... ...читать

Рубрики: статья
04 октября 2018

Особенности выбора силовых МОП-транзисторов для резонансных LLC-преобразователей

В статье рассматриваются особенности работы МОП-транзисторов (MOSFET) в резонансных LLC-преобразователях. Особое внимание уделяется режиму переключений при нулевых напряжениях (Zero Voltage Switching, ZVS). В ней также приведены методы повышения... ...читать

Рубрики: статья
01 октября 2018

Основные параметры и аспекты применения дискретных IGBT

Инструкция по особенностям практического применения дискретных транзисторов IGBT с экскурсом в основы теории и результатами практических испытаний для трех моделей IGBT производства Infineon: IRG7PC35SD для резонансных приложений с мягкими... ...читать

Рубрики: статья
05 июля 2018

Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET

Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET-транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет... ...читать

Рубрики: статья