Статьи Записей: 5, Страница: 1 из 1

07 декабря

Силовые модули IGBT производства Infineon. Разъяснение информации, приводимой в технических условиях

В документе компании Infineon приводится подробное разъяснение всех понятий, терминов и формул, приводимых в технических условиях силовых модулей IGBT. Будет полезно всем разработчикам силовой электроники. Информация, приведенная в данной статье,... ...читать

Рубрики: примеры применений
28 ноября

Параллельное включение модулей EconoPACK+

Популярные силовые модули EconoPACK™+на базе IGBT производства Infineon при реализации различных силовых устройств часто требуется включать по сдвоенной и строенной трехфазной схеме. О правилах, которые следует при этом соблюдать,... ...читать

Рубрики: примеры применений
04 октября 2018

Особенности выбора силовых МОП-транзисторов для резонансных LLC-преобразователей

В статье рассматриваются особенности работы МОП-транзисторов (MOSFET) в резонансных LLC-преобразователях. Особое внимание уделяется режиму переключений при нулевых напряжениях (Zero Voltage Switching, ZVS). В ней также приведены методы повышения... ...читать

Рубрики: примеры применений
01 октября 2018

Основные параметры и аспекты применения дискретных IGBT

Инструкция по особенностям практического применения дискретных транзисторов IGBT с экскурсом в основы теории и результатами практических испытаний для трех моделей IGBT производства Infineon: IRG7PC35SD для резонансных приложений с мягкими... ...читать

Рубрики: примеры применений
05 июля 2018

Использование драйверов EiceDRIVER для повышения качества управления транзисторами SiC MOSFET

Особенности использования драйверов линейки EiceDRIVER производства Infineon при работе с MOSFET-транзисторами на базе карбида кремния требования к их параметром, функции защиты от короткого замыкания и предотвращения эффекта Миллера расчет... ...читать

Рубрики: примеры применений