№7 / 2010
International Rectifier

Седьмой номер «Новостей электроники» посвящен продукции компании International Rectifier. С приходом в компанию нового руководства произошел возврат к MOSFETs и IGBT, но наряду с этим компания стала уделять повышенное внимание разработкам повышенной надежности, а также новым технологиям корпусирования и выпуску изделий на основе нитрида галлия. Соответственно, в номере опубликованы материалы о синхронных понижающих DC/DC-преобразователях серии SupIRBuck Gen2, об универсальном электронном балласте для газоразрядных HID-ламп, о новых MOSFETs (в том числе – в корпусах DirectFET), о технологии GaNPowIR (нитрид галлия на кремниевой подложке). Публикуется также обзор выпускаемой IR высоконадежной продукции класса HiRel.

Содержание номера:

От редактора

Уважаемые читатели! По итогам третьего квартала 2010 финансового года (этот квартал в IR заканчивается 31 марта) прибыль компании International Rectifier увеличилась по сравнению с предыдущим кварталом на 15,1%, а с третьим кварталом предшествующего года - на 65%. Далеко не всем компаниям в электронной сфере удалось к началу 2010 календарного года выйти на прибыльность. Президент компании Олег Хайкин прогнозирует дальнейший рост, в первую очередь - за счёт потребителей в сфере автоэлектроники и систем распределённого питания для вычислительных комплексов и серверных устройств... читать далее 

Когда рынок восстановился, компания была готова к серьезному росту

Редактор «Новостей электроники» беседует с вице-президентом компании International Rectifier по продажам в Восточной Европе Бертольдом Дюкером о новых перспективах IR, рынке MOSFETs, модулях на базе нитрида галлия и о высоконадежной продукции HiRel. читать далее 

International Rectifier – лидер в управлении питанием и мощностью

В статье приведен краткий обзор продукции компании International Rectifier, которая находит применение в устройствах преобразования электрической энергии, например, в синхронных выпрямителях, мощных инверторах постоянного и переменного тока, импульсных источниках питания, электроприводе и бытовой технике. читать далее 

DC/DC-преобразователи SupIRBuck поколения Gen2 в распределенных системах электропитания

В статье рассматриваются вопросы применения синхронных понижающих DC/DC-преобразователей компании International Rectifier в распределенных системах электропитания. Особое внимание уделяется новым микросхемам поколения Gen2: сериям IR383x, IR384x и IR387x, которые позволяют значительно уменьшить площадь, занимаемую на печатной плате. читать далее 

Универсальный электронный балласт газоразрядных ламп высокой интенсивности

В статье рассматривается новинка компании International Rectifier в области управления газоразрядными лампами высокой эффективности (HID)  – электронный балласт IRS2573D, а также описываются основные функции и режимы работы микросхемы. Новое изделие совмещает в одном корпусе управление понижающим и мостовым преобразователями. читать далее 

Продукция класса HiRel компании International Rectifier

В статье рассказывается о преимуществах HiRel-продукции компании International Rectifier. В ее состав входят дискретные приборы, интегральные микросхемы и модули, использующиеся в коммерческих, военных, аэрокосмических и других применениях, требующих высокой функциональной надежности. читать далее 

Новинки MOSFET в стандартных корпусах

В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В статье рассказывается о новых изделиях, пополнивших линейку MOSFET компании International Rectifier в самое последнее время. читать далее 

Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET

Большой объем исследований в области корпусирования мощных полупроводниковых приборов ведется компанией International Rectifier, которая в настоящее время выпускает лучшие в отрасли по соотношению «цена-качество» MOSFET-транзисторы. В статье рассматривается технология корпусирования DirectFET, которая обеспечивает рекордную для отрасли эффективность корпуса транзисторов. читать далее 

Преимущества силовых приборов на базе GaN от International Rectifier

Размер готового решения можно уменьшить в два раза благодаря сокращению количества пассивных компонентов и использованию меньших индуктивностей. Стремясь к инновациям, сотрудники International Rectifier разработали принципиально новую технологию производства силовых приборов на основе нитрида галлия (GaN), комплексный показатель качества (FOM) которых в несколько раз превосходит современные кремниевые MOSFET. Рентабельные устройства на основе GaN помогут создавать готовые решения, которые сделают прорыв в увеличении КПД силовых устройств. О новой технологии и изделиях на ее базе рассказывает вице-президент Emerging Technologies Group компании IR. читать далее