Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его р...
Infineon представил новые квазирезонансные ШИМ-контроллеры для обратноходовых преобразователей, входящие в семейство CoolSET пятого поколения. ШИМ-контроллеры оптимизированы для работы в промышленных импульсных источниках питания (SMPS) и прекрасн...
Компания Infineon представила новую линейку транзисторов на основе карбида кремния (SiC), входящих в семейство CoolSiC. Новые MOSFET имеют рабочее напряжение 1700 В и оптимизированы для работы во вспомогательных источниках питания.
Благодаря высок...
Компания Infineon дополнила семейство транзисторов OptiMOS тремя новыми компонентами в компактном корпусе SuperSO8, работающими с логическим уровнем 120 В. Новые MOSFET имеют низкий заряд затвора, что снижает коммутационные потери и позволяет рабо...
Продолжая расширять семейство транзисторов StrongIRFET, компания Infineon выпустила на рынок новую линейку компонентов на 40/60 В в корпусе D2PAK 7pin. Данные MOSFET оптимизированы для работы с высокими значениями тока и имеют низкое сопротивление...
Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрид...
Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как пр...
Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2).
Средний ток диодов ...
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)...
Компания Infineon Technologies расширяет свою линейку драйверов затвора «нижнего плеча» и представляет своим клиентам новый одноканальный драйвер 1ED44175N01B с максимальным напряжением питания до 25 В, встроенной защитой от перегрузки по току и ф...