Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Sil...
Компания Infineon представила новый EasyPACK-модуль F4-23MR12W1M1_B11 с MOSFET-транзисторами с напряжением «сток-исток» 1200 В и сопротивлением открытого канала 23 мОм. Модуль имеет на борту встроенный датчик температуры NTC, а его монта...
Компания Infineon представила новые драйверы линейки EiceDRIVER с усиленной изоляцией, поддержкой IGBT до 1200 В и динамическим управлением скоростью нарастания (slew rate control, SRC): 1EDS20I12SV, 1EDU20I12SV и 1EDI20I12SV.
Драйверы 1EDx20I12SV...
BGA5L1BN6 – малошумящий усилитель (LNA), который охватывает широкий диапазон частот: от 600 до 1000 МГц. LNA обеспечивает усиление 18,5 дБ и коэффициент шума 0,7 дБ при токе потребления 8,2 мА. BGA5L1BN6 может работать в режиме байпаса – при этом...
Александр Русу (г. Одесса)
В широкой линейке интегральных драйверов затвора, выпускаемой компанией Infineon для транзисторов верхнего и нижнего плечей силовых преобразователей, имеются изделия с различными параметрами и со всеми типами разделения ...
Компания Infineon представила транзисторы IPW60R045P7XKSA1, IPW60R024P7XKSA1, IPP60R160P7XKSA1 в корпусе TO-247, входящие в состав линейки 600-вольтовых транзисторов CoolMOS P7. Линейка CoolMOS P7 является преемницей CoolMOS P6 и объединяет в себе...
Компания Infineon представила новые драйверы для светодиодов высокой мощности. Драйверы имеют напряжение питания от 8 до 80 В, что дает запас по напряжению для решений, функционирующих близко к пределам SELV (safe extra-low voltage), и обладают во...
Вольфганг Франк (Infineon)
Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное реше...
Компания Infineon представила расширение линейки OptiMOS 3 и 5 — мощные MOSFET-транзисторы в корпусе SuperSO8, наилучшие в своем классе. Их характеризуют высокая выходная мощность, большая надежность и малый уровень сопротивления открытого канала ...
Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким эне...