Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

5 марта
Обобщив богатый опыт и ноу-хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе кремни...
автомобильная электроникауправление двигателемавтоматизацияответственные примененияуниверсальное применениеInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиинверторы для солнечной энергетикисистемы хранения энергииустройства электроприводазарядные устройства и ключевые источники электропитания

CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

18 февраля
Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специали...
телекоммуникацииавтомобильная электроникасветотехникауправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыуниверсальное применениеInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCККМSiC MOSFET

Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

10 февраля
Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку ...
телекоммуникацииавтомобильная электроникасветотехникауправление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCIGBTAC-DCККМSiC MOSFET

IGBT-модули EconoPACK™+ от Infineon с защитой от сероводорода

9 февраля
Алексей Гурвич, Оливер Шиллинг и другие (Infineon Technologies) С каждым годом на рынке возрастает число частотно-регулируемых приводов (ЧРП). В настоящее время ЧРП широко используются во многих промышленных приложениях. В некоторых применениях, т...
управление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTAC-DCMotor Drive

Новые силовые модули EasyPACK на основе TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

4 февраля
Новинка от компании Infineon – гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на осно...
управление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводники

Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

27 января
Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм). В новых MOSFET используется технология соеди...
светотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводники

Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые?

20 января
Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникну...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCMotor DriveSiC MOSFET

Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

15 января
Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энерги...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTAC-DCHybrid IGBT

Новые MOSFET OptiMOS 5 с двухсторонним охлаждением

31 декабря 2020
Компания Infineon представила новую линейку MOSFET с двусторонним охлаждением, входящую в семейство OptiMOS 5. Новые транзисторы поставляются в корпусе SuperSO8 5×6 SC (super cooling), что позволяет улучшить отвод тепла и создавать приложения...
телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление двигателемпотребительская электроникаInfineonновостьдискретные полупроводники

Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

30 декабря 2020
Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT-чипы компании Infineon и рекоменд...
управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET
Главная