Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

вчера
Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энерги...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTAC-DCHybrid IGBT

Новые MOSFET OptiMOS 5 с двухсторонним охлаждением

31 декабря 2020
Компания Infineon представила новую линейку MOSFET с двусторонним охлаждением, входящую в семейство OptiMOS 5. Новые транзисторы поставляются в корпусе SuperSO8 5×6 SC (super cooling), что позволяет улучшить отвод тепла и создавать приложения...
телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление двигателемпотребительская электроникаInfineonновостьдискретные полупроводники

Учет влияния паразитной индуктивности при разработке силового преобразователя

30 декабря 2020
Клаус Фогель, Адальберто Росса, Дэвид Леветт (Infineon) Применение скоростных микросхем IGBT в силовых преобразователях при более высоких уровнях тока возможно только в системах с низкой индуктивностью. Новые IGBT-чипы компании Infineon и рекоменд...
управление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTSiC MOSFET

Силовые модули по технологии Solder Bond типоразмеров 34 и 50 мм

28 декабря 2020
Электронные силовые полупроводниковые модули производства Infineon выполнены по технологии Solder Bond и поставляются на рынок в типоразмерах 34 и 50 мм. В статье представлены их основные параметры, особенности монтажа и рассмотрен процесс нанесен...
управление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиAC-DC

Преимущества SiC-технологии и их использование: MOSFET и драйверы затвора Infineon

23 декабря 2020
Джованбаттиста Маттиуси, Диого Варахао (Infineon) С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС д...
управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTAC-DCSiC MOSFET

TLE9012AQU и TLE9015QU – микросхемы для управления зарядом аккумуляторов

21 декабря 2020
Компания Infineon представила новые микросхемы TLE9012AQU и TLE9015QU в корпусе PG-TQFP-48 с высокой точностью измерения для контроля и управления зарядом литий-ионных аккумуляторов. TLE9012AQU и TLE9015QU могут быть использованы для измерения нап...
автомобильная электроникауправление питаниемпотребительская электроникаInfineonновость

Новое семейство понижающих DC/DC-преобразователей OPTIREG Switcher TLS412xD0x

17 декабря 2020
Компания Infineon представила новое семейство pin-to-pin понижающих DC/DC-преобразователей OPTIREG Switcher TLS412xD0x. Данные преобразователи предназначены для применения в автомобильных приложениях, имеют компактные размеры и требуют всего пять ...
автомобильная электроникаInfineonновостьинтегральные микросхемы

IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon

15 декабря 2020
Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как пр...
управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиАудиоAC-DCGaN

Схемы и решения для управления затвором на базе ИС драйверов серии EiceDriver от Infineon

14 декабря 2020
Диого Вараджо (Infineon Technologies), Кармен Мендитти Матришано (Infineon Technologies) Самые современные драйверы управления 2EDi, 1EDB, 2EDN, 1EDN и 1EDN-TDI семейств GaN EiceDRIVER™ и EiceDRIVER™ от Infineon по своим показателям ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCККМ

Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK

11 декабря 2020
Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов ...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode