Технология SOI против паразитных эффектов в драйверах затвора

22 мая
Микросхемы драйверов затвора силовых транзисторов, изготавливаемые по технологии монолитного кремния, подвержены негативному влиянию отрицательных напряжений, возникающих на опорном выводе для верхнего плеча. Технология «Кремний-на-изоляторе» (Sil...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTизоляцияККМMotor Drive

Новый EasyPACK- модуль с MOSFET-транзисторами CoolSiC, NTC и технологией PressFIT

14 мая
Компания Infineon представила новый EasyPACK-модуль F4-23MR12W1M1_B11 с MOSFET-транзисторами с напряжением «сток-исток» 1200 В и сопротивлением открытого канала 23 мОм. Модуль имеет на борту встроенный датчик температуры NTC, а его монта...
управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводники

Драйверы EiceDRIVER с усиленной изоляцией и динамическим управлением скоростью нарастания

11 мая
Компания Infineon представила новые драйверы линейки EiceDRIVER с усиленной изоляцией, поддержкой IGBT до 1200 В и динамическим управлением скоростью нарастания (slew rate control, SRC): 1EDS20I12SV, 1EDU20I12SV и 1EDI20I12SV. Драйверы 1EDx20I12SV...
управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыinfineon

BGA5L1BN6 – малошумящий усилитель для диапазона 868 МГц

5 мая
BGA5L1BN6 – малошумящий усилитель (LNA), который охватывает широкий диапазон частот: от 600 до 1000 МГц. LNA обеспечивает усиление 18,5 дБ и коэффициент шума 0,7 дБ при токе потребления 8,2 мА. BGA5L1BN6 может работать в режиме байпаса  – при этом...
системы безопасностиучёт ресурсовинтернет вещейInfineonновостьинтегральные микросхемы

Обзор линейки драйверов затвора компании Infineon

29 апреля
Александр Русу (г. Одесса) В широкой линейке интегральных драйверов затвора, выпускаемой компанией Infineon для транзисторов верхнего и нижнего плечей силовых преобразователей, имеются изделия с различными параметрами и со всеми типами разделения ...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTизоляцияККМMotor Drive

Новые MOSFET-транзисторы линейки CoolMOS P7 600 В в корпусе TO-247

15 апреля
Компания Infineon представила транзисторы IPW60R045P7XKSA1, IPW60R024P7XKSA1, IPP60R160P7XKSA1 в корпусе TO-247, входящие в состав линейки 600-вольтовых транзисторов CoolMOS P7. Линейка CoolMOS P7 является преемницей CoolMOS P6 и объединяет в себе...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводники

ILD8150/ILD8150E драйверы светодиодов высокой мощности с глубоким диммированием

10 апреля
Компания Infineon представила новые драйверы для светодиодов высокой мощности. Драйверы имеют напряжение питания от 8 до 80 В, что дает запас по напряжению для решений, функционирующих близко к пределам SELV (safe extra-low voltage), и обладают во...
светотехникауправление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыоптоэлектроника

Как снизить потери при включении силового ключа: простая схема управления скоростью нарастания

6 апреля
Вольфганг Франк (Infineon) Снижение потерь на переключения в силовых электронных системах, например, в приводах, зачастую противоречит требованиям ЭМС и ограничивается таким параметром как скорость нарастания напряжения. Обычное компромиссное реше...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемы

Новые мощные MOSFET-транзисторы OptiMOS в корпусе SuperSO8

26 марта
Компания Infineon представила расширение линейки OptiMOS 3 и 5 — мощные MOSFET-транзисторы в корпусе SuperSO8, наилучшие в своем классе. Их характеризуют высокая выходная мощность, большая надежность и малый уровень сопротивления открытого канала ...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводники

Новые MOSFET-транзисторы линейки StrongIRFET в корпусе TO-247 и рабочим напряжением 100-150 В

20 марта
Компания Infineon представила новые транзисторы IRF100P218, IRF100P219, IRF150P220, IRF150P221 в корпусе TO-247 и с рабочим напряжением от 100 В до 150 В, входящие в линейку StrongIRFET. Транзисторы рассчитаны на работу в приложениях с высоким эне...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводники