SiC MOSFET на 1200 В от Wolfspeed для маломощных преобразователей энергии

21 января
Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют ...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниеммедицинаWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводники

Решения Wolfspeed для корректоров коэффициента мощности энергоэффективных источников питания

30 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Схема коррекции коэффициента мощности (ККМ) на основе так называемого «тотемного столба» (Totem Pole) обладает минимально возможными потерями и потенциально может обеспечить самые жесткие требования к энергоэффективности...
телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETККМSiC MOSFETPFC

Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed

24 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А...
телекоммуникацииуправление питаниемуниверсальное применениеWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode

Новые SiC-диоды 6 поколения от Wolfspeed на 650 В в корпусе D-Pak

11 декабря 2020
Являясь одним из лидеров в области карбид-кремниевых силовых компонентов, компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основн...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET

Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

18 ноября 2020
Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед об...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTDSPAC-DCESDККМLDODC-DCMotor Drive

900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

3 ноября 2020
Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETAC-DCMotor DriveКарбид кремния

Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

15 октября 2020
Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов. Применен...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCзарядное устройство для электромобиляисточник питания для телекомапреобразователь собственных нужд для метро/локомотива

Новая веха: SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed

9 октября 2020
Компания Wolfspeed (Cree Power) – технологический пионер в сфере перехода от кремниевых силовых полупроводников к карбид-кремниевым. После успешного выпуска транзисторов на 1200 В следующим шагом в развитии решений высокой мощности является начало...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниемWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DC