Первый в мире 1000V SiC MOSFET

19 июля 2017
Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфо...
управление питаниемCREE POWERновостьдискретные полупроводникиSiCMOSFET

CoolSiC™: новая революция в области MOSFET

16 июня 2017
Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию ...
управление питаниемпотребительская электроникаответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыоптоэлектроникасредства разработки и материалыSiC

Дорогу карбиду кремния! – диоды Шоттки производства Littelfuse

11 мая 2017
Карбид кремния (SiC) – один из наиболее перспективных полупроводниковых материалов. Он отличается от традиционного кремния возможностью получения более высоких значений рабочего напряжения, меньшим уровнем статических и динамических потерь, больше...
управление питаниемLittelfuseстатьядискретные полупроводникиSiC

LFUSCD — мощные SiC диоды Шоттки от Littelfuse

17 марта 2017
Семейство диодов LFUSCD относится к новейшему классу выпрямительных диодов Шоттки, изготовленных по карбид-кремниевой технологии (SiC — Silicon carbide). Данная технология предлагает существенное улучшение (по сравнению со стандартными кремн...
Littelfuseновостьдискретные полупроводникиSiC

IHM, IHV и PrimePACK – мощные силовые модули от Infineon

23 ноября 2016
На склад Компэл поступили мощные силовые IGBT модули Infineon, предназначенные для коммутации больших токов и высоких напряжений. Они находят применение в инверторах различной конфигурации, сварочном оборудовании, источниках бесперебойного питания...
управление питаниемуправление двигателемInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCIGBTUPS