Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания

8 декабря 2020
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET

1ED44175N01B – новый одноканальный драйвер MOSFET и IGBT со встроенной защитой от перегрузки по току

27 ноября 2020
Компания Infineon Technologies расширяет свою линейку драйверов затвора «нижнего плеча» и представляет своим клиентам новый одноканальный драйвер 1ED44175N01B с максимальным напряжением питания до 25 В, встроенной защитой от перегрузки по току и ф...
управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыпассивные ЭК и электромеханикаAC-DCдрайвер MOSFETдрайвер управления

Бюджетный двухкаскадный светодиодный драйвер 52 Вт на основе микросхемы ICL5102

26 ноября 2020
В статье представлена схема ICL5102 производства Infineon с коррекцией коэффициента мощности (ККМ) и LCC-преобразователем без обратной связи, обеспечивающая малый разброс светодиодного тока. Микросхема ICL5102 производства Infineon Technologies яв...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниемInfineonстатьяинтегральные микросхемыоптоэлектроникадискретные полупроводникиMOSFETAC-DCLEDККМуправление питанием

600-вольтовые CoolMOS MOSFET PFD7 – новое решение для устройств с высокой плотностью мощности

23 ноября 2020
Компания Infineon представила новую линейку высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В, которые устанавливают новый стандарт для технологии Super Junction и являются прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотност...
управление питаниемпотребительская электроникаInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCLED драйвер

2EDx – новое семейство двуканальных изолированных драйверов затвора линейки EiceDRIVER

20 ноября 2020
Компания Infineon выпустила новое семейство двухканальных изолированных драйверов для управления затвором MOSFET. Драйверы 2EDx входят в линейку продуктов EiceDRIVER и обладают высокими надежностью, быстродействием и степенью изоляции. Изоляционны...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCдрайвер MOSFET

Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

20 ноября 2020
Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов ...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниемуправление двигателемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCDC-DCMotor Drive

Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon

18 ноября 2020
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) При производстве драйверов силовых транзисторов компания Infineon использует различные технологии: JI, SOI, CT. Драйверы, выполненные с применением технологии SOI, имеют целый ряд преимуществ по сравнению с классиче...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыAC-DCизоляцияККМMotor DriveAC/ВС

Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

18 ноября 2020
Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед об...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTDSPAC-DCESDККМLDODC-DCMotor Drive

Каждой топологии – своя технология. Часть 2

16 ноября 2020
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволя...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETAC-DCККМSiC MOSFET

Каждой топологии – своя технология. Часть 1

10 ноября 2020
Алексей Гребенников (г. Москва) Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых тран...
телекоммуникацииуправление питаниеммедициналабораторные приборыInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETAC-DCККМ