Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC)...
Компания Infineon Technologies расширяет свою линейку драйверов затвора «нижнего плеча» и представляет своим клиентам новый одноканальный драйвер 1ED44175N01B с максимальным напряжением питания до 25 В, встроенной защитой от перегрузки по току и ф...
В статье представлена схема ICL5102 производства Infineon с коррекцией коэффициента мощности (ККМ) и LCC-преобразователем без обратной связи, обеспечивающая малый разброс светодиодного тока.
Микросхема ICL5102 производства Infineon Technologies яв...
Компания Infineon представила новую линейку высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В, которые устанавливают новый стандарт для технологии Super Junction и являются прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотност...
Компания Infineon выпустила новое семейство двухканальных изолированных драйверов для управления затвором MOSFET. Драйверы 2EDx входят в линейку продуктов EiceDRIVER и обладают высокими надежностью, быстродействием и степенью изоляции.
Изоляционны...
Александр Русу (г. Одесса)
За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов ...
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)
При производстве драйверов силовых транзисторов компания Infineon использует различные технологии: JI, SOI, CT. Драйверы, выполненные с применением технологии SOI, имеют целый ряд преимуществ по сравнению с классиче...
Вера Ефремова (г. Екатеринбург)
650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед об...
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)
Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволя...
Алексей Гребенников (г. Москва)
Важнейшими элементами силовых цепей являются полевые транзисторы. Представляем обзор трех семейств полевых транзисторов производства компании Infineon: кремниевых полевых транзисторов CoolMOS, карбид-кремниевых тран...