Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

статья
24 июля
Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых полуп...
телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьяинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиMOSFETGaNHEMT