Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

4 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к времен...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCMOSFETMotor DriveSiC MOSFET

Каждой топологии – своя технология. Часть 2

16 ноября 2020
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) Источники питания на базе традиционных кремниевых силовых транзисторов не всегда способны отвечать современным требованиям по эффективности. Новые карбид-кремниевые (SiC) и нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы позволя...
телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETAC-DCККМSiC MOSFET

2EDF0275F и 2EDS9265H — двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

26 октября 2020
Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно по...
телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиSiCSiC MOSFETcoolsicMOSFET Driver

Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм

20 октября 2020
Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его р...
управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFETcoolsicСиловая электроника