650-вольтовые гибридные IGBT с диодами CoolSiC для преобразователей с высоким КПД

7 октября
Компания Infineon решила объединить несколько передовых технологий производства силовых полупроводниковых приборов и разработала новое семейство 650-вольтовых гибридных IGBT Hybrid CoolSiC, содержащих в одном корпусе кремниевые IGBT, изготовленные...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемавтоматизацияответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTcoolsic

2EDF0275F и 2EDS9265H — двухканальные изолированные драйверы SiC MOSFET

26 октября 2020
Компания Infineon представила два новых изолированных драйвера затвора SiC MOSFET — 2EDF9275F и 2EDS9265H, расширив тем самым фирменное семейство микросхем EiceDRIVER. Эти изделия относятся к двуканальным драйверам +4 A / -8 A и прекрасно по...
телекоммуникацииуправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиSiCSiC MOSFETcoolsicMOSFET Driver

Модули CoolSiC MOSFET 1200 В в корпусе 62 мм

20 октября 2020
Компания Infineon представила новые MOSFET-модули на основе карбида кремния напряжением 1200 В семейства CoolSiC. Транзисторы CoolSiC – отличное решение для систем средней и высокой мощности, которое упрощает конструкцию приложения, уменьшая его р...
управление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиMOSFETSiC MOSFETcoolsicСиловая электроника

Драйверы MOSFET/IGBT Infineon – силой нужно управлять!

10 сентября 2020
Компания Infineon совершила настоящую революцию в силовой электронике. Специалисты Infineon не только усовершенствовали традиционные кремниевые MOSFET (серия CoolMOS) и IGBT, но и выпустили компоненты на базе принципиально иных материалов – нитрид...
управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиMOSFETIGBTCoolMOS™infineoncoolgancoolsic