Новости производителя Vishay Записей: 16, Страница: 1 из 2

26 ноября 2014

SiA936EDJ - сдвоенный компактный 20V N-MOSFET с низким RDSon

Vishay Intertechnology представила новый сдвоенный N-канальный TrenchFET силовой MOSFET-транзистор в ультракомпактном, термически улучшенном корпусе PowerPAK SC-70. Разработанный чтобы сэкономить место на плате и увеличить энергоэффективность... ...читать

Рубрики: новость
20 января 2014

SiR872ADP - новый 150V N-канальный TrenchFET транзистор от Vishay

Компания Vishay Intertechnology выпустила новый 150 В N-канальный TrenchFET® Power MOSFET SiR872ADP, который имеет малое сопротивление открытого канала 18 мОм при напряжении 10 В и 23 мОм при 7.5 В, при сохранении низкого заряда затвора до 22.8... ...читать

Рубрики: новость
02 декабря 2013

Новые -12V, -20V и -30V p-канальные Gen III транзисторы от Vishay

Компания Vishay Intertechnology расширила линейку TrenchFET® Gen III P-канальных мощных транзисторов в ультракомпактном корпусе PowerPAK® SC-70, представив новые -12 В (SiA467EDJ), -20 В (SiA437DJ) и -30 В (SiA449DJ и SiA483DJ) MOSFET с... ...читать

Рубрики: новость
05 ноября 2013

Новые 40V и 30V P-канальные MOSFET от Vishay

Компания Vishay Intertechnology представила новые 40 В и 30 В p-канальные Gen III TrenchFET транзисторы SiSS27DN и SiS443DN в компактных корпусах PowerPAK. Оба транзистора имеют крайне низкое сопротивление открытого канала для такого класса... ...читать

Рубрики: новость
01 октября 2013

Новая Е-серия мощных 650V MOSFET от Vishay

Компания Vishay Intertechnology представила новую высоковольтную серию мощных n-канальных MOSFET транзисторов с ультранизким сопротивлением открытого канала. Новая «Е»-серия представлена множеством транзисторов с максимальным рабочим напряжением... ...читать

Рубрики: новость
20 мая 2013

SiB456DK и SiA416DJ - новые 100 В n-канальные MOSFET от Vishay

Компания Vishay Intertechnology представила SiB456DK и SiA416DJ — новые мощные 100 В N-канальные TrenchFET MOSFET. SiB456DK и SiA416DJ являются первыми промышленными 100 В N-канальными устройствами в компактном, термически усиленном... ...читать

Рубрики: новость
25 февраля 2013

Новые 12V и 20V мощные N- и P-канальные MOSFET от VISHAY

Компания Vishay Intertechnology представила новые мощные 12 В и 20 В n- и р-канальные TrenchFET транзисторы с низким сопротивлением открытого канала в миниатюрном корпусе MICRO FOOT. Впервые для корпуса размером 0.8х0.8 мм и высотой 0.4 мм,... ...читать

Рубрики: новость
20 февраля 2013

Si7655DN - 20V P-канальный MOSFET с низким Rds(on)

Компания Vishay Intertechnology представила новый р-канальный MOSFET транзистор Si7655DN с уникально низким сопротивлением открытого канала для рабочего напряжения 20 В. Новый транзистор создан с использованием передовых р-канальных Gen III... ...читать

Рубрики: новость
11 февраля 2013

SiA447DJ и Si5429DU - новые силовые P-канальные 12V и 30V MOSFET

Компания Vishay расширила семейство мощных P-канальных MOSFET транзисторов двумя новыми представителями SiA447DJ и Si5429DU, с допустимыми напряжениями сток-исток 12 В и 30 В, соответственно. Транзисторы изготовлены по современной технологии... ...читать

Рубрики: новость
21 января 2013

Новые 600 В MOSFET Е-серии от VISHAY

Компания Vishay пополнила новинками Е-серию мощных 600 В n-канальных MOSFET с широким диапазоном рабочих токов от 7 до 73 А и ультра-низким зарядом затвора. Преимущественно, областью применения Е-серии MOSFET являются: мощные... ...читать

Рубрики: новость