Новости Записей: 166, Страница: 1 из 17

10 июня 2019

1EDх56х3 – новые драйверы управления инновационными GaN-транзисторами

Компания Infineon представила новые одноканальные изолированные драйверы 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663H для управления высоковольтными GaN-транзисторами. Изделия из семейства GaN EiceDRIVER от Infineon являются альтернативой RC-драйверам,... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
07 июня 2019

Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon

Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN.... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
07 июня 2019

Новые GaN 600V транзисторы CoolGaN от Infineon

Серия CoolGaN 600 В от Infineon – это транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT), реализованные в соответствии со специально разработанным для GaN процессом квалификации, который кардинально отличен от квалификации других продуктов GaN.... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
24 мая 2019

2ED2304S06F - новый 2-канальный 650V драйвер MOSFET

Компания Infineon представила новый полумостовой драйвер управления затвором IGBT- и MOSFET-транзисторов напряжением до 650 В со встроенным bootstrap-диодом. 2ED2304S06F относится к линейке EiceDRIVER и производится по технологии SOI (кремний на... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
27 марта 2019

1EDN7511B и 1EDN8511B – новые одноканальные драйверы MOSFET от Infineon

Компания Infineon представила новые драйверы управления затвором транзисторов 1EDN7511B и 1EDN8511B семейства EiceDRIVER. Данные драйверы прекрасно подходят для управления MOSFET-транзисторами (семейства OptiMOS, CoolMOS, Superjunction MOSFETs и... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
22 марта 2019

Новые мощные TVS-диоды SM8S/SF от Bourns

TVS-диоды предназначены для поглощения существенных по мощности импульсных нагрузок, что обеспечено механизмом работы компонента: он закрыт до момента возникновения помехи и не участвует в работе схемы, т.е. через него не протекает ток.... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники, пассивные ЭК и электромеханика
15 марта 2019

1ED44176 - новый драйвер MOSFET и IGBT с токовой защитой

Компания Infineon представила новый одноканальный драйвер затвора для силового MOSFET или IGBT транзистора — 1ED44176N01F  — драйвер «нижнего плеча» с максимальным напряжением собственного питания до 25 В. 1ED44176N01F... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
11 марта 2019

CoolMOS P7 950V – новое семейство МОП-транзисторов от Infineon

Компания Infineon представила новое семейство МОП-транзисторов CoolMOS P7, ориентированных на создание источников вторичного электропитания малой и средней мощности (10…150 Вт). Транзисторы CoolMOS P7, по сравнению с предыдущим семейством CoolMOS... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
11 марта 2019

CoolMOS P7 950V – новое семейство МОП-транзисторов от Infineon

Компания Infineon представила новое семейство МОП-транзисторов CoolMOS P7, ориентированных на создание источников вторичного электропитания малой и средней мощности (10…150 Вт). Транзисторы CoolMOS P7, по сравнению с предыдущим семейством CoolMOS... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
04 февраля 2019

Интеллектуальные силовые модули CIPOS Maxi 1200V от Infineon

Интеллектуальные силовые модули (Intelligent Power Modules, IPM) от Infineon существенно упрощают процесс разработки приводов электродвигателей и других силовых приложений. Они объединяют в одном корпусе все необходимые компоненты, в том числе... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы, дискретные полупроводники