Серия FET транзисторов C3M

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Конфигурация и полярность
	Особенности

Документация на серию C3M

C3M0015065D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 120 A RDS(on) 15 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package 3rd Generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) Applications • • • • • EV charging Solar PV Inverters UPS SMPS DC/DC converters Part Number Package Marking C3M0015065D TO-247-3 C3M0015065D Maximum Ratings Symbol Parameter VDSS Drain - Source Voltage, TC = 25 ˚C VGS Gate - Source voltage (Under transient events < 100 ns) ID ID(pulse) PD TJ , Tstg Unit 650 V -8/+19 V Fig. 29 A Fig. 19 Note 1 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 25˚C 120 Continuous Drain Current, VGS = 15 V, TC = 100˚C 96 Pulsed Drain Current, Pulse width tP limited by Tjmax 418 A Power Dissipation, TC=25˚C, TJ = 175 ˚C 416 W -40 to +175 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature, 1.6mm (0.063”) from case for 10s 260 ˚C Md Mounting Torque, (M3 or 6-32 screw) 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): Package limited to 120 A 1 Value C3M0015065D Rev 3, 10-2020 Note Fig. 20  PDF

Документация на C3M0015065D 

Cree C3M0015065D Silicon Carbide MOSFET

Дата модификации: 07.10.2020

Размер: 1.23 Мб

11 стр.

• найти C3M.pdf

Товары серии C3M

Наименование	i	Упаковка	Корпус	Uси	Iс(25°C)	RDS on	Uзатв (ном)	Uзатв(макс)	Qзатв	Pрасс	Cзатв
C3M0015065D (CREE PWR)			TO-247-3								—
C3M0015065K (CREE PWR)		1 шт	TO2474								—
C3M0016120D (CREE PWR)		1 шт	TO-247-3
C3M0016120K (CREE PWR)		1 шт	TO2474				—	—	—	—	—
C3M0021120D (CREE PWR)		1 шт	TO-247-3				—	—	—	—	—
C3M0021120K (CREE PWR)		1 шт	TO2474				—	—	—	—	—
C3M0025065D (CREE PWR)		в линейках 19 шт	TO2473
C3M0025065K (CREE PWR)			TO2474
C3M0032120D (CREE PWR)		1 шт	TO-247-3				—	—	—	—	—
C3M0032120K (CREE PWR)		1 шт	TO2474				—	—	—	—	—
C3M0040120D (CREE PWR)			TO2473
C3M0040120K (CREE PWR)		1 шт	TO2474
C3M0045065D (CREE PWR)		1 шт	TO2473
C3M0045065K (CREE PWR)		10 шт	TO2474
C3M0060065D (CREE PWR)		1 шт	TO-247-3								—
C3M0060065J (CREE PWR)		в линейках 50 шт	TO2637								—
C3M0060065K (CREE PWR)		1 шт	TO-247-4								—
C3M0065090D (CREE PWR)		1 шт	TO-247-3
C3M0065090J (CREE PWR)		1 шт	TO2637
C3M0065090J-TR (CREE PWR)			TO2637					—
C3M0065100J (CREE PWR)		1 шт	TO2637
C3M0065100J-TR (CREE PWR)			TO2637
C3M0065100K (CREE PWR)		в линейках 30 шт	TO2474
C3M0075120D (CREE PWR)		в линейках 30 шт	TO-247-3				—	—	—	—	—
C3M0075120J (CREE PWR)		в линейках 100 шт	TO2637
C3M0075120J-TR (CREE PWR)			TO2637
C3M0075120K (CREE PWR)		1 шт	TO2474
C3M0120065D (CREE PWR)		в линейках 90 шт	TO2473
C3M0120065J (CREE PWR)		90 шт	TO2637
C3M0120065K (CREE PWR)		в линейках 90 шт	TO2474
C3M0120090D (CREE PWR)		1 шт	TO-247-3
C3M0120090J (CREE PWR)		1 шт	TO2637
C3M0120090J-TR (CREE PWR)			TO2637
C3M0120100J (CREE PWR)		в линейках 50 шт	TO2637
C3M0120100K (CREE PWR)		в линейках 30 шт	TO2474
C3M0280090D (CREE PWR)		1 шт	TO-247-3
C3M0280090J (CREE PWR)		1 шт	TO2637
C3M0280090J-TR (CREE PWR)		8 шт	TO2637
C3M0350120D (CREE PWR)		5 шт	TO-247-3								—
C3M0350120J (CREE PWR)		5 шт	TO2637								—

C3M публикации

24 марта 2022

статья

Карбид-кремниевые транзисторы Wolfspeed для источников питания телекоммуникационного оборудования

Александр Русу (г. Одесса) Расчеты компании Wolfspeed и опорные проекты на их основе показывают, что для выпрямительных устройств, предназначенных для питания телекоммуникационного и компьютерного оборудования, использование высоковольтных... ...читать

05 февраля 2021

новость

SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET... ...читать

18 ноября 2020

статья

Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид–кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только... ...читать

02 ноября 2020

новость

Силовые компоненты Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC) (материалы вебинара)

Программа показатьсвернуть Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбида кремния (SiC) компании Wolfspeed.Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе... ...читать

15 октября 2020

статья

Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать

03 августа 2018

новость

Новые 1200V SiC MOSFET третьего поколения C3M от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (CREE POWER) продолжает расширять семейство SiC MOSFET третьего поколения C3M, представив транзисторы на 1200 В с сопротивлением канала 75 мОм в корпусах TO–247–4L (C3M0075120K) и TO–263–7L... ...читать