Серия FET транзисторов C3M

Общие характеристики

Раздел FET транзисторы
Конфигурация и полярность
Особенности

Документация на серию C3M

C3M0015065D Silicon Carbide Power MOSFET TM C3M MOSFET Technology VDS 650 V ID @ 25˚C 120 A RDS(on) 15 mΩ N-Channel Enhancement Mode Features • • • • • Package 3rd Generation SiC MOSFET technology High blocking voltage with low on-resistance High speed switching with low capacitances Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) Halogen free, RoHS compliant Benefits • • • • • • Higher system efficiency Reduced cooling requirements Increased power density Increased system switching frequency Easy to parallel and simple to drive Enable new hard switching PFC topologies (Totem-Pole) Applications • • • • • EV charging Solar PV Inverters UPS SMPS DC/DC converters Part Number Package Marking C3M0015065D TO-247-3 C3M0015065D Maximum Ratings (TC = 25 ˚C unless otherwise specified) Symbol Parameter Unit Test Conditions 650 V VGS = 0 V, ID = 100 μA Note VDSmax Drain - Source Voltage VGSmax Gate - Source Voltage (dynamic) -8/+19 V AC (f >1 Hz) Note: 1 VGSop Gate - Source Voltage (static) -4/+15 V Static Note: 2 VGS = 15 V, TC = 25˚C Fig. 19 Note: 3 ID Continuous Drain Current ID(pulse) PD TJ , Tstg 120 96 A VGS = 15 V, TC = 100˚C Pulsed Drain Current 223 A Pulse width tP limited by Tjmax Power Dissipation 416 W TC=25˚C, TJ = 175 ˚C -40 to +175 ˚C Operating Junction and Storage Temperature TL Solder Temperature 260 ˚C Md Mounting Torque 1 8.8 Nm lbf-in Note (1): When using MOSFET Body Diode VGSmax = -4V/+19V Note (2): MOSFET can also safely operate at 0/+15 V Note (3): Package limited to 120 A 1 Value C3M0015065D Rev. B, 02-2020 1.6mm (0.063”) from case for 10s M3 or 6-32 screw Fig. 20 PDF
Документация на C3M0015065D 

Cree C3M0015065D Silicon Carbide MOSFET Public datasheet Revision B

Дата модификации: 16.02.2020

Размер: 1.04 Мб

11 стр.

    Товары серии C3M

    Наименование i Упаковка Корпус Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Cзатв
    C3M0015065D (CREE PWR) TO-247-3
    C3M0015065K (CREE PWR)
     
    1 шт TO2474
    C3M0016120D (CREE PWR) 1 шт TO-247-3
    C3M0016120K (CREE PWR)
     
    1 шт TO2474
    C3M0021120D (CREE PWR) 1 шт TO-247-3
    C3M0021120K (CREE PWR)
     
    1 шт TO2474
    C3M0025065D (CREE PWR) TO2473
    C3M0025065K (CREE PWR) TO2474
    C3M0032120D (CREE PWR)
     
    1 шт TO-247-3
    C3M0032120K (CREE PWR)
     
    1 шт TO2474
    C3M0040120D (CREE PWR) TO2473
    C3M0040120K (CREE PWR) 1 шт TO2474
    C3M0045065D (CREE PWR) TO2473
    C3M0045065K (CREE PWR) TO2474
    C3M0060065D (CREE PWR) 1 шт TO-247-3
    C3M0060065J (CREE PWR)
     
    TO2637
    C3M0060065K (CREE PWR)
     
    1 шт TO-247-4
    C3M0065090D (CREE PWR) MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 1 шт TO-247-3
    C3M0065090J (CREE PWR) MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 1 шт TO2637
    C3M0065090J-TR (CREE PWR) MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 TO2637
    C3M0065100J (CREE PWR) MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7 1 шт TO2637
    C3M0065100J-TR (CREE PWR)
     
    TO2637
    C3M0065100K (CREE PWR) 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET в линейках 30 шт TO2474
    C3M0075120D (CREE PWR)
     
    в линейках 30 шт TO-247-3
    C3M0075120J (CREE PWR) в линейках 100 шт TO2637
    C3M0075120J-TR (CREE PWR) TO2637
    C3M0075120K (CREE PWR)
     
    1 шт TO2474
    C3M0120065D (CREE PWR) в линейках 90 шт TO2473
    C3M0120065J (CREE PWR) в линейках 90 шт TO2637
    C3M0120065K (CREE PWR) в линейках 90 шт TO2474
    C3M0120090D (CREE PWR) 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 1 шт TO-247-3
    C3M0120090J (CREE PWR) MOSFET N-CH 900V 22A 1 шт TO2637
    C3M0120090J-TR (CREE PWR) MOSFET N-CH 900V 22A TO2637
    C3M0120100J (CREE PWR) MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7 в линейках 50 шт TO2637
    C3M0120100K (CREE PWR)
     
    в линейках 30 шт TO2474
    C3M0280090D (CREE PWR)
     
    1 шт TO-247-3
    C3M0280090J (CREE PWR)
     
    1 шт TO2637
    C3M0280090J-TR (CREE PWR)
     
    8 шт TO2637
    C3M0350120D (CREE PWR)
     
    5 шт TO-247-3
    C3M0350120J (CREE PWR)
     
    5 шт TO2637

    C3M публикации

    05 февраля 2021
    новость

    SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

    Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET... ...читать

    18 ноября 2020
    статья

    Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

    Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид–кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только... ...читать

    02 ноября 2020
    новость

    Силовые компоненты Wolfspeed на основе карбида кремния (SiC) (материалы вебинара)

    Программа показатьсвернуть Компания КОМПЭЛ приглашает вас принять участие в вебинаре, посвященном силовым компонентам на основе карбида кремния (SiC) компании Wolfspeed.Полевые транзисторы, диоды и другие полупроводниковые приборы на основе... ...читать

    15 октября 2020
    статья

    Новые транзисторы SiC MOSFET с трехкратным снижением потерь на переключение

    Эдгар Айербе, Адам Баркли, Джон Муккен (Wolfspeed) Значение скорости переключения MOSFET в традиционных корпусах ограничено многими факторами. Компания Wolfspeed предлагает для своих MOSFET на базе карбида кремния два новых вида корпусов.... ...читать