Серия IGBT силовых модулей FP40R12KT3G

Общие характеристики

Раздел IGBT силовые модули
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Корпус AG-ECONO3-3
Максимальная рассеиваемая мощность

Документация на серию FP40R12KT3G

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FP40R12KT3G VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 40 55  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  80  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  210  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues  min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C  V 1200 VCE sat A A typ. max. 1,80 2,05 2,30 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,33  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  6,0  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  2,50  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,09  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,09 0,09  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,03 0,05  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,42 0,52  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,07 0,09  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V RGon = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  4,10 6,00  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V RGoff = 27 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  3,10 3,60  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   0,60 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  125 preparedby:AS dateofpublication:2013-10-03 approvedby:RS revision:2.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 160  A °C PDF
Документация на FP40R12KT3GBOSA1 

Datenblatt / Datasheet FP40R12KT3G Datenblatt / Datasheet FP40R12KT3G Rev. 2.1 (de / en)

Дата модификации: 03.10.2013

Размер: 559.4 Кб

11 стр.

    Товары серии FP40R12KT3G

    Наименование i Упаковка
    FP40R12KT3GBOSA1 (INFIN)
     
    10 шт