Серия IGBT силовых модулей IFS75B12N3E4B31

Общие характеристики

Раздел IGBT силовые модули
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Максимальная рассеиваемая мощность

Документация на серию IFS75B12N3E4B31

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules IFS75B12N3E4_B31 MIPAQ™baseModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,EmitterControlled4DiodeundStrommesswiderstand MIPAQ™basemodulewithtrench/fieldstopIGBT4,emittercontrolled4diodeandcurrentsenseshunt IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten/PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj = 175°C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  1200  V IC nom  75  A ICRM  150  A Ptot  385  W VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage  min. IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VCE sat typ. max. 1,85 2,10 2,15 2,15 V V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG  0,57  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  10  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  4,30  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,16  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   100 nA td on  0,13 0,15 0,15  µs µs µs tr  0,02 0,03 0,035  µs µs µs td off  0,33 0,42 0,44  µs µs µs tf  0,06 0,11 0,13  µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 2,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 125°C RGon = 2,2 Ω Tvj = 150°C Eon  4,70 7,20 8,00  mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (Tvj=150°C) Tvj = 125°C RGoff = 2,2 Ω Tvj = 150°C Eoff  4,70 7,70 8,40  mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   RthCH  0,195 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) preparedby:CM dateofpublication:2013-03-06 approvedby:MS revision:2.0 1 300  A 0,39 K/W K/W PDF
Документация на IFS75B12N3E4B31BOSA1 

Datasheet / Datenblatt IFS75B12N3E4_B31 Datasheet / Datenblatt IFS75B12N3E4_B31 Rev. 2.0 english/deutsch

Дата модификации: 06.03.2013

Размер: 556.6 Кб

8 стр.

    Товары серии IFS75B12N3E4B31

    Наименование i Упаковка
    IFS75B12N3E4B31BOSA1 (INFIN)
     
    10 шт

    IFS75B12N3E4B31 публикации

    27 декабря 2019
    статья

    Уменьшение стоимости инверторов мощностью более 75 кВт путем интеграции токоизмерительных шунтов в силовые модули

    Клаус Фогель, Майкл Гадерманн, Андреас Шмаль, Кристоф Урбан (Infineon Technologies) Компания Infineon при использовании силовых модулей со встроенными токоизмерительными резисторами вместо датчиков Холла в инверторах мощностью более 75 кВт... ...читать