Серия IGBT транзисторов IKZ75N65ES5

Общие характеристики

Раздел IGBT транзисторы
Корпус TO2474
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип

Документация на серию IKZ75N65ES5

Документация на IKZ75N65ES5XKSA1 

Datasheet IKZ75N65ES5 Datasheet IKZ75N65ES5 Rev. 2.1

Дата модификации: 26.04.2017

Размер: 1.8 Мб

16 стр.

    Товары серии IKZ75N65ES5

    Наименование i Упаковка
    IKZ75N65ES5XKSA1 (INFIN)
     
    в линейках 30 шт

    IKZ75N65ES5 публикации

    14 июня 2018
    новость

    Новые 650V IGBT c дополнительным выводом эмиттера в корпусе TO-247-4 от Infineon

    Компания Infineon представила IGBT транзисторы TRENCHSTOP™ 5–го поколения в новом 4–х выводном корпусе TO–247–4. Четвертый дополнительный вывод является вторым эмиттерным и соединяется непосредственно с драйвером для... ...читать