Серия FET транзисторов IPW60R170CFD7

Infineon

Общие характеристики

 Раздел FET транзисторы
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности

Документация на серию IPW60R170CFD7

IPW60R170CFD7 MOSFET 600VCoolMOSªCFD7PowerTransistor PG-TO247-3 CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.ThelatestCoolMOS™CFD7isthe successortotheCoolMOS™CFD2seriesandisanoptimizedplatform tailoredtotargetsoftswitchingapplicationssuchasphase-shiftfull-bridge (ZVS)andLLC.Resultingfromreducedgatecharge(Qg),best-in-class reverserecoverycharge(Qrr)andimprovedturnoffbehaviorCoolMOS™ CFD7offershighestefficiencyinresonanttopologies.AspartofInfineon’s fastbodydiodeportfolio,thisnewproductseriesblendsalladvantagesof afastswitchingtechnologytogetherwithsuperiorhardcommutation robustness,withoutsacrificingeasyimplementationinthedesign-in process.TheCoolMOS™CFD7technologymeetshighestefficiencyand reliabilitystandardsandfurthermoresupportshighpowerdensity solutions.Altogether,CoolMOS™CFD7makesresonantswitching topologiesmoreefficient,morereliable,lighterandcooler. Drain Pin 2 Gate Pin 1 Features Source Pin 3 •Ultra-fastbodydiode •Lowgatecharge •Best-in-classreverserecoverycharge(Qrr) •ImprovedMOSFETreversediodedv/dtanddiF/dtruggedness •LowestFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Best-in-classRDS(on)inSMDandTHDpackages Benefits •Excellenthardcommutationruggedness •Highestreliabilityforresonanttopologies •Highestefficiencywithoutstandingease-of-use/performancetradeoff •Enablingincreasedpowerdensitysolutions Potentialapplications SuiteableforSoftSwitchingtopologies Optimizedforphase-shiftfull-bridge(ZVS),LLCApplications–Server, Telecom,EVCharging ProductValidation:Qualifiedforindustrialapplicationsaccordingtothe relevanttestsofJEDEC47/20/22 Pleasenote:ForMOSFETparallelingtheuseofferritebeadsonthegate orseparatetotempolesisgenerallyrecommended. Table1KeyPerformanceParameters Parameter Value Unit VDS @ Tj,max 650 V RDS(on),max 170 mΩ Qg,typ 28 nC ID,pulse 51 A Eoss @ 400V 3.2 µJ Body diode diF/dt 1300 A/µs Type/OrderingCode Package IPW60R170CFD7 PG-TO 247-3 Final Data Sheet Marking 60R170F7 1 RelatedLinks see Appendix A Rev.2.1,2017-12-12 PDF
Документация на IPW60R170CFD7 

Datasheet IPW60R170CFD7 Datasheet IPW60R170CFD7 Rev. 2.1

Дата модификации: 12.12.2017

Размер: 1.34 Мб

14 стр.

    Товары серии IPW60R170CFD7

    Наименование i Упаковка
    IPW60R170CFD7 (INFIN)
     
    IPW60R170CFD7XKSA1 (INFIN)
     
    		в линейках 30 шт

    IPW60R170CFD7 публикации

    04 сентября 2019
    статья

    Транзисторы CoolMOS™ с диодами CFD7 для резонансных преобразователей с высоким КПД

    Александр Русу (г. Одесса) Транзисторы CoolMOS™ производства Infineon с диодами CFD7 со сверхмалой величиной заряда обратного восстановления идеальны для выпрямительных устройств вычислительной и телекоммуникационной техники. Специфическая... ...читать