Серия FET транзисторов IRF7821

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Корпус	SO-8
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Максимальное напряжение затвора
	Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
	Рассеиваемая мощность
	Ёмкость затвора

Документация на серию IRF7821

PD - 94579C IRF7821 HEXFET® Power MOSFET Applications l High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current VDSS RDS(on) max Qg(typ.) 30V 9.1mW@VGS= 10V 9.3nC A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units 30 V VDS Drain-to-Source Voltage VGS Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V 13.6 IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current 100 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.5 PD @TA = 70°C Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C f f ± 20 A 11 c W 1.6 0.02 -55 to + 155 W/°C °C Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA g fg Junction-to-Ambient Junction-to-Drain Lead Notes through www.irf.com Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 are on page 10 1 05/23/07

Документация на IRF7821TR

IRF7821.pmd

Дата модификации: 23.05.2007

Размер: 285.4 Кб

10 стр.

PD - 94579A IRF7821 HEXFET® Power MOSFET Applications l High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. VDSS RDS(on) max Qg(typ.) 30V 9.1mW@VGS= 10V 9.3nC 1 8 S 2 7 S 3 6 4 5 S Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current G A A D D D D SO-8 Top View Absolute Maximum Ratings Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage Parameter 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 13.6 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 11 IDM Pulsed Drain Current 100 f f c PD @TA = 25°C Power Dissipation PD @TA = 70°C Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range A 2.5 W 1.6 0.02 -55 to + 150 W/°C °C Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA Junction-to-Drain Lead Junction-to-Ambient f Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 Notes through are on page 10 www.irf.com 1 2/25/03

Документация на IRF7821

IRF7821.pmd

Дата модификации: 26.02.2003

Размер: 206.6 Кб

10 стр.

найти IRF7821.pdf

Товары серии IRF7821

Наименование	i	Упаковка	U_затв (ном)	Q_затв
IRF7821 (INFIN)		1 шт
IRF7821PBF (INFIN)		в линейках 95 шт
IRF7821TR (INFIN)		1 шт
IRF7821TRPBF (INFIN)		в ленте 4000 шт