Серия FET транзисторов IRF7842

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Корпус	SO-8
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора
	Максимальное напряжение затвора
	Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
	Рассеиваемая мощность
	Ёмкость затвора

Документация на серию IRF7842

IRF7842PbF Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Secondary Synchronous Rectification for Isolated DC-DC Converters l Synchronous Fet for Non-Isolated DC-DC Converters l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Base Part Number Package Type IRF7842PbF SO-8 HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) max : Qg (typ.) 40V 5.0m @VGS = 10V 33nC A A D S 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D SO-8 Top View Standard Pack Form Quantity Tube/Bulk 95 Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRF7842PbF IRF7842TRPbF Absolute Maximum Ratings Max. Units Drain-to-Source Voltage Parameter 40 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 18 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 14 IDM Pulsed Drain Current 140 PD @TA = 25°C Power Dissipation VDS c PD @TA = 70°C f Power Dissipation f TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range A W 2.5 1.6 W/°C °C 0.02 -55 to + 150 Thermal Resistance Parameter RθJL RθJA Notes 1 g Junction-to-Ambient fg Junction-to-Drain Lead through Typ. Max. Units ––– 20 °C/W ––– 50 are on page 10 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback July 8, 2014

Документация на IRF7842TRPBF

IRF7842PbF Product Datasheet

Дата модификации: 19.07.2014

Размер: 220.3 Кб

10 стр.

найти IRF7842.pdf

Товары серии IRF7842

Наименование	i	Упаковка	Q_затв
IRF7842 (INFIN)		в линейках 95 шт
IRF7842PBF (INFIN)		в линейках 95 шт
IRF7842TR (INFIN)
IRF7842TRPBF (INFIN)		в ленте 4000 шт