Серия IGBT транзисторов TrenchStop 5

Общие характеристики

Раздел IGBT транзисторы
Напряжение К-Э максимальное
Тип

Документация на серию TrenchStop 5

    Товары серии TrenchStop 5

    Наименование i Упаковка Корпус IК UКЭ нас t вкл t выкл Мощность Заряд затвора
    IKW40N65RH5XKSA1 (INFIN) 10 шт PGTO2473
    IKW50N65RH5XKSA1 (INFIN)
     
    10 шт PGTO2473
    IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN) 10 шт PGTO2473
    IKW75N65RH5XKSA1 (INFIN)
     
    10 шт PGTO2473
    IKW75N65SS5XKSA1 (INFIN)
     
    10 шт PGTO2473
    IKZA40N65RH5XKSA1 (INFIN) 10 шт TO2474
    IKZA50N65RH5XKSA1 (INFIN) 10 шт TO2474
    IKZA50N65SS5XKSA1 (INFIN)
     
    10 шт TO2474
    IKZA75N65RH5XKSA1 (INFIN)
     
    10 шт TO2474
    IKZA75N65SS5XKSA1 (INFIN)
     
    10 шт TO2474

    TrenchStop 5 публикации

    07 октября
    новость

    650-вольтовые гибридные IGBT с диодами CoolSiC для преобразователей с высоким КПД

    Компания Infineon решила объединить несколько передовых технологий производства силовых полупроводниковых приборов и разработала новое семейство 650–вольтовых гибридных IGBT Hybrid CoolSiC, содержащих в одном корпусе кремниевые IGBT,... ...читать

    06 октября
    новость

    650-вольтовые IGBT TRENCHSTOP теперь доступны в корпусе TO-247

    Компания Infineon расширила линейку 650–вольтовых IGBT седьмого поколения, изготавливаемых по технологии TRENCHSTOP, дополнив ее приборами с максимально допустимым током коллектора от 20 до 75 А, выпускаемых в корпусах ТО–247. Ключевой... ...читать

    05 марта 2021
    новость

    Карбид-кремниевые MOSFET серии CoolSiC™ – шаг навстречу энергоэффективному и экологичному миру!

    Обобщив богатый опыт и ноу–хау в сфере силовой электроники, компания Infineon представляет CoolSiC™ MOSFET — революционную технологию, позволяющую кардинально улучшить параметры устройств. По сравнению с традиционными ключами на базе... ...читать

    10 февраля 2021
    статья

    Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

    Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку... ...читать

    04 февраля 2021
    новость

    Новые силовые модули EasyPACK на основе TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

    Новинка от компании Infineon – гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на... ...читать

    15 января 2021
    новость

    Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

    Компания Infineon представила новые гибридные IGBT–транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC–диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить... ...читать