Серия биполярных транзисторов L8050

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
	Корпус	SOT-23-3

Документация на серию L8050

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon L8050HQLTIG Series 3 FEATURE ƽHigh current capacity in compact package. IC =1.5 A. 1 ƽEpitaxial planar type. 2 ƽNPN complement: L8050H ƽPb-Free Package is available. SOT–23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device COLLECTOR 3 Shipping Marking L8050HPLT1G 1HA 3000/Tape&Reel L8050HPLT3G 1HA 10000/Tape&Reel L8050HQLT1G 1HC 3000/Tape&Reel L8050HQLT3G 1HC 10000/Tape&Reel L8050HRLT1G 1HE 3000/Tape&Reel L8050HRLT3G 1HE 10000/Tape&Reel L8050HSLT1G 1HG 3000/Tape&Reel L8050HSLT3G 1HG 10000/Tape&Reel 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Symbol Max Unit VCEO VCBO VEBO IC 25 40 5 1500 V V V mAdc THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Max Unit TA=25°C 225 mW Derate above 25°C 1.8 mW/°C 556 °C/W Alumina Substrate,(2) TA=25°C 300 mW Derate above 25°C 2.4 mW/°C R θJ A 417 °C/W T j,T St g -55 to +150 °C Total Device Dissipation FR-5 Board,(1) Thermal Resistance,Junction to Ambient Total Device Dissipation Thermal Resistance,Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Symbol PD R θJ A PD 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.A 1/3  PDF

Документация на L8050HQLT1G 

Дата модификации: 09.05.2013

Размер: 63.7 Кб

3 стр.

• найти L8050.pdf

Товары серии L8050

Наименование	i	Упаковка	IК(макс)	h 21
L8050HQLT1G (LRC)
L8050HRLT1G (LRC)		50 шт
L8050QLT1G (LRC)		в ленте 11 шт