Серия биполярных транзисторов L9014

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
	Ток коллектора
	Граничная рабочая частота

Документация на серию L9014

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon FEATURE ƽComplementary to L9014. ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. L9014QLT1G Series S-L9014QLT1G Series DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping L9014QLT1G S-L9014QLT1G 14Q 3000/Tape&Reel L9014QLT3G S-L9014QLT3G 14Q 10000/Tape&Reel L9014RLT1G S-L9014RLT1G 14R 3000/Tape&Reel L9014RLT3G S-L9014RLT3G 14R 10000/Tape&Reel L9014SLT1G S-L9014SLT1G 14S 3000/Tape&Reel L9014SLT3G S-L9014SLT3G 14S 10000/Tape&Reel L9014TLT1G S-L9014TLT1G 14T 3000/Tape&Reel L9014TLT3G S-L9014TLT3G 14T 1 2 SOT– 23 COLLECTOR 3 10000/Tape&Reel 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V IC 100 mA Collector current-continuoun THERMAL CHARATEERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR-5 Board, (1) Symbol Unit PD o TA=25 C o Derate above 25 C Thermal Resistance, Junction to Ambient Max R©JA 225 mW 1.8 mW/ oC 556 o 300 mW 2.4 mW/ oC C/W PD Total Device Dissipation o Alumina Substrate, (2) TA=25 C o Derate above 25 C Thermal Resistance, Junction to Ambient R©JA 417 Junction and Storage Temperature TJ ,Tstg -55 to +150 o C /W o C 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/4  PDF

Документация на L9014QLT1G 

Дата модификации: 23.08.2012

Размер: 99.8 Кб

4 стр.

• найти L9014.pdf

Товары серии L9014

Наименование	i	Упаковка	h 21
L9014QLT1G (LRC)
L9014RLT1G (LRC)
L9014SLT1G (LRC)
L9014TLT1G (LRC)