Серия биполярных транзисторов LBC817

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Корпус	SOT-23-3
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
	Ток коллектора
	Граничная рабочая частота

Документация на серию LBC817

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC817-16LT1G LBC817-25LT1G LBC817-40LT1G • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V CEO 45 V Collector–Base Voltage V CBO 50 V Emitter–Base Voltage V EBO 5.0 V IC 500 mAdc Collector Current — Continuous 1 2 SOT–23 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic 3 COLLECTOR Symbol Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Max Unit 225 1.8 556 mW mW/°C °C/W 300 2.4 417 –55 to +150 mW mW/°C °C/W °C PD R θJA PD R θJA T J , T stg 1 BASE 2 EMITTER DEVICE MARKING LBC817–16LT1G = 6A; LBC817–25LT1G = 6B; LBC817–40LT1G = 6C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit V (BR)CEO 45 — — V V (BR)CES 50 — — V V 5.0 — — V (VCB = 20 V) — — 100 nA (VCB = 20 V, TA = 150°C) — — 5.0 µA OFF CHARACTERISTICS Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 mA) Collector–Emitter Breakdown Voltage (VEB = 0, IC = 10 µA) Emitter–Base Breakdown Voltage (I E = 1.0 µA) Collector Cutoff Current (BR)EBO I CBO 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/10

Документация на LBC817-25LT1G

a1

Дата модификации: 24.08.2012

Размер: 480.7 Кб

10 стр.

найти LBC817.pdf

Товары серии LBC817

Наименование	i	Упаковка	h 21
LBC817-25LT1G (LRC)		в ленте 3000 шт
LBC817-25WT1G (LRC)
LBC817-40LT1G (LRC)		в ленте 3000 шт
LBC817-40WT1G (LRC)		20 шт