Серия FET транзисторов LBSS123

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора	±
	Рассеиваемая мощность

Документация на серию LBSS123

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. N-CHANNEL POWER MOSFET LBSS123LT1G LBSS123LT1G S-LBSS123LT1G FEATURE 3 ƽ Pb-Free Package is available. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device 2 SOT-23 Marking Shipping LBSS123LT1G S-LBSS123LT1G SA 3000/Tape&Reel LBSS123LT3G S-LBSS123LT3G SA 10000/Tape&Reel 1 Gate MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Drain–Source Voltage VDSS 100 Vdc Gate–Source Voltage – Continuous – Non–repetitive (tp ≤ 50 µs) VGS VGSM ±20 ±40 Vdc Vpk ID IDM 0.17 0.68 Symbol Max Unit PD 225 mW 1.8 mW/°C RqJA 556 °C/W TJ, Tstg –55 to +150 °C Drain Current Continuous (Note 1.) Pulsed (Note 2.) Drain 3 2 Source Adc THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR–5 Board (Note 3.) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature 1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current. 2. Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. 3. FR–5 = 1.0
0.75
0.062 in. Rev .A 1/4  PDF

Документация на LBSS123LT1G 

Дата модификации: 21.08.2012

Размер: 360.5 Кб

6 стр.

• найти LBSS123.pdf

Товары серии LBSS123