Серия FET транзисторов LBSS138

LRC

Общие характеристики

 Раздел FET транзисторы
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±

Документация на серию LBSS138

LBSS138DW1T1G S-LBSS138DW1T1G Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts N–Channel SC-88 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable. ● Low threshold voltage (VGS(th): 0.5V...1.5V) makes it ideal for low voltage applications. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LBSS138DW1T1G J1 3000/Tape&Reel LBSS138DW1T3G J1 10000/Tape&Reel 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC) Parameter Drain–Source Voltage Gate–to–Source Voltage – Continuous Symbol Limits Unit VDSS 50 Vdc VGS ±20 Vdc Drain Current mAdc – Continuous TA = 25°C – Pulsed (tp≤10μs) ID 200 IDM 800 Symbol Limits Unit PD 225 mW 1.8 mW/ºC RΘJA 556 ºC/W TJ,Tstg −55∼+150 ºC 260 ºC 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation, FR−5 Board (Note 1) @ TA = 25ºC Derate above 25ºC Thermal Resistance, Junction–to–Ambient(Note 1) Junction and Storage temperature Maximum Lead Temperature for Soldering TL Purposes, for 10 seconds 1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in. Leshan Radio Company, LTD. Rev.B Mar 2016 1/6 PDF
Документация на LBSS138DW1T1G 

Дата модификации: 23.03.2016

Размер: 588.1 Кб

6 стр.

    Товары серии LBSS138

    Наименование i Упаковка Rси (вкл) Pрасс
    LBSS138DW1T1G (LRC)
     
     
    LBSS138LT1G (LRC)
     
     
    		 в ленте 3000 шт
    LBSS138WT1G (LRC)
     
    		1 шт