Серия биполярных транзисторов LH8550

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Корпус	SOT-23-3
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
	Ток коллектора
	Коэффициент усиления по току

Документация на серию LH8550

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LH8550PLT1G Series S-LH8550PLT1G Series FEATURE ƽHigh current capacity in compact package. IC =-1.5A. ƽEpitaxial planar type. ƽPNP complement: LH8550 3 ƽPb-Free Package is available. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 2 SOT–23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Marking Shipping (S-)LH8550PLT1G KIO 3000/Tape&Reel (S-)LH8550PLT3G KIO 10000/Tape&Reel Device COLLECTOR 3 1 BASE (S-)LH8550QLT1G (S-)LH8550QLT3G KIY 3000/Tape&Reel KIY 10000/Tape&Reel 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Max Unit Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-continuoun VCEO VCBO VEBO IC -50 -50 -6 -1500 V V V mAdc Symbol Max Unit PD 225 mW T j , TS t g -55 to +150 °C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Dissipation Power Junction and Storage Temperature Rev.C 1/4  PDF

Документация на LH8550QLT1G 

Дата модификации: 21.10.2013

Размер: 138.4 Кб

4 стр.

• найти LH8550.pdf

Товары серии LH8550