Серия биполярных транзисторов LMBT3906LT1

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Корпус	SOT-23-3
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Ток коллектора
	Коэффициент усиления по току

Документация на серию LMBT3906LT1

LMBT3906LT1G S-LMBT3906LT1G General Purpose Transistors PNP Silicon 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LMBT3906LT1G 2A 3000/Tape&Reel LMBT3906LT3G 2A 10000/Tape&Reel 3 COLLECTOR 1 BASE 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC) Parameter Symbol Limits Unit Collector–Emitter Voltage VCEO -40 Vdc Collector–Base Voltage VCBO -40 Vdc Emitter–Base Voltage VEBO -5 Vdc IC -200 mAdc Symbol Limits Unit FR−5 Board (Note 1) @ TA = 25ºC 225 mW Derate above 25ºC 1.8 mW/ºC RΘJA 556 ºC/W TJ,Tstg −55∼+150 ºC Collector Current — Continuous 2 EMITTER 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation, Thermal Resistance, PD Junction–to–Ambient(Note 1) Junction and Storage temperature 1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in. Leshan Radio Company, LTD. Rev.B Mar 2016 1/5  PDF

Документация на LMBT3906LT1G 

Дата модификации: 25.03.2016

Размер: 495.4 Кб

5 стр.

• найти LMBT3906LT1.pdf

Товары серии LMBT3906LT1