Серия биполярных транзисторов LMBTA56

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Корпус	SOT-23-3
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
	Ток коллектора
	Граничная рабочая частота
	Коэффициент усиления по току

Документация на серию LMBTA56

LMBTA56LT1G S-LMBTA56LT1G Driver Transistors PNP Silicon 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SOT23(TO-236) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 COLLECTOR LMBTA56LT1G 2GM 3000/Tape&Reel LMBTA56LT3G 2GM 10000/Tape&Reel 1 BASE 2 EMITTER 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC) Symbol Limits Unit Collector–Emitter Voltage Parameter VCEO -80 Vdc Collector–Base Voltage VCBO -80 Vdc Emitter–Base Voltage VEBO -4 Vdc IC -500 mAdc Symbol Limits Unit Collector Current — Continuous 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation, PD FR−5 Board (Note 1) @ TA = 25ºC 225 mW Derate above 25ºC 1.8 mW/ºC 556 ºC/W Thermal Resistance, RΘJA Junction–to–Ambient(Note 1) Junction and Storage temperature TJ,Tstg −55∼+150 ºC 1. FR–5 = 1.0×0.75×0.062 in. Leshan Radio Company, LTD. Rev.B Mar 2016 1/5  PDF

Документация на LMBTA56LT1G 

Дата модификации: 25.03.2016

Размер: 456.9 Кб

5 стр.

• найти LMBTA56.pdf

Товары серии LMBTA56