Серия биполярных транзисторов BC847C

Общие характеристики

Раздел Биполярный транзистор
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току

Документация на серию BC847C

BC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V • • http://onsemi.com ESD Rating − Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 3 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Collector-Emitter Voltage Value Unit VCEO Collector−Base Voltage Vdc 1 2 VCBO Vdc VEBO Vdc 6.0 6.0 5.0 BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 Collector Current − Continuous SOT−23 CASE 318 STYLE 6 80 50 30 BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 Emitter−Base Voltage 3 65 45 30 BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 IC 100 MARKING DIAGRAM XX M G G mAdc Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR− 5 Board, (Note 1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1) Total Device Dissipation Alumina Substrate (Note 2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 2) Junction and Storage Temperature Range Symbol Max Unit PD 225 mW 1 XX M G = Device Code = Date Code* = Pb−Free Package (Note: Microdot may be in either location) *Date Code orientation and/or overbar may vary depending upon manufacturing location. RqJA 1.8 mW/°C 556 °C/W ORDERING INFORMATION PD 300 mW 2.4 mW/°C RqJA 417 °C/W TJ, Tstg −55 to +150 °C See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 12 of this data sheet. 1. FR− 5 = 1.0  0.75  0.062 in. 2. Alumina = 0.4  0.3  0.024 in 99.5% alumina. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2014 April, 2014 − Rev. 13 1 Publication Order Number: BC846ALT1/D PDF
Документация на семейство BC846 

BC846ALT1 - General Purpose Transistors NPN Silicon

Дата модификации: 05.04.2014

Размер: 109.2 Кб

13 стр.

    Товары серии BC847C

    Наименование i Упаковка Корпус Тип Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад)
    BC847CDW (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-323-6]; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h21: 420...800 1 шт SC88
    BC847CDW1T1 (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-323-6]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс... 3000 шт SOT236
    BC847CDW1T1G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-363]; Тип: 2 NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс... в ленте 3000 шт SOT-323-6 SOT363
    BC847CDXV6T1G (ONS)
     
    в ленте 4000 шт SOT-563
    BC847CLT1G (ONS) NPN Bipolar Transistor в ленте 3000 шт SOT-23-3
    BC847CLT3G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... 10000 шт TO236
    BC847CWT1G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... в ленте 3000 шт SOT-323-3
    BC847CWT3G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... 10000 шт SC703
    BC848CLT1 (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 30 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... 3000 шт TO236
    BC848CLT1G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 30 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... в ленте 3000 шт SOT-23-3
    BC848CPDW1T1G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-363]; Тип: NPN / PNP; UКЭ(макс): 30 В; IК(макс): 100 мА; P... в ленте 3000 шт SOT-323-6 SOT363
    BC848CWT1G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 30 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... 3000 шт SOT-323-3
    SBC847CDW1T1G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-363]; Тип: 2 NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс... SOT-323-6 SOT363
    SBC847CDXV6T1G (ONS)
     
    SOT-563
    SBC847CLT1G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... SOT-23-3
    SBC847CWT1G (ONS) Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... SC703