Серия биполярных транзисторов DMG963

Общие характеристики

	Раздел	Биполярный транзистор
	Корпус	DFN-6
	Тип проводимости и конфигурация
	Рассеиваемая мощность
	Напряжение КЭ максимальное
	Ток коллектора
	Коэффициент усиления по току

Документация на серию DMG963

DMG963HC Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) Unit: mm For digital circuits  Features  Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  Marking Symbol: V0  Basic Part Number DRC2144E+DRA2152Z (Collector-base connection)  Packaging DMG963HC0R Embossed type (Thermo-compression sealing): 8 000 pcs / reel (standard)  Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Parameter Tr1 Symbol Rating Unit Collector-base voltage (Emitter open) VCBO 50 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO 50 V IC 100 mA Collector-base voltage (Emitter open) VCBO –50 V Collector-emitter voltage (Base open) VCEO –50 V Collector current IC –100 mA Total power dissipation PT 125 mW Junction temperature Tj 150 °C Operating ambient temperature Topr –40 to +85 °C Storage temperature Tstg –55 to +150 °C Collector current Tr2 Overall Publication date: November 2013 Ver. DED 4: Collecter (Tr2) 5: Base (Tr2) Collecter (Tr1) SSMini5-F4-B SC-107BB SOT-665 1: Emitter (Tr1) 2: Base (Tr1) 3: Emitter (Tr2) Panasonic JEITA Code (B2, C1) 5 (C2) 4 R1 Tr1 R2 1 (E1) Resistance value Tr1 Tr2 R1 Tr2 R2 2 (B1) 3 (E2) 47 kΩ R2 47 kΩ R1 0.51 kΩ R2 5.1 kΩ R1 1  PDF

Документация на DMG963HC0R 

DMG963HC Ver. DED

Дата модификации: 12.12.2013

Размер: 859.1 Кб

6 стр.

• найти DMG963.pdf

Товары серии DMG963