Серия FET транзисторов FK6K0201

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Корпус	WSMini6-F1-B
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора
	Максимальное напряжение затвора
	Рассеиваемая мощность
	Ёмкость затвора

Документация на серию FK6K0201

Doc No. TT4-EA-12566 Revision. 2 Product Standards MOS FET FK6K02010L FK6K02010L Silicon N-channel MOS FET Unit : mm 2.0 For switching 0.2 0.13 6 5 4 1 2 3  Features 1.7 2.1  Low drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ. = 13 m （VGS = 4.5 V)  Low drive voltage: 2.5 V drive  Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant) 0.7  Marking Symbol : TA (0.65)(0.65) 1.3  Packaging Embossed type (Thermo-compression sealing): 3 000 pcs / reel (standard) 1. Drain 2. Drain 3. Gate  Absolute Maximum Ratings Ta = 25C Parameter Symbol Drain-source surrender voltage Gate-source surrender voltage Drain current Peak drain current *1 Power dissipation *2 Channel temperature Operating ambient temperature Storage temperature Note) VDSS VGSS ID IDp PD Tch Topr Tstg Rating Unit 20 10 4.5 18 700 150 -40 to + 85 -55 to +150 V V A A mW C C C 4. Source 5. Drain 6. Drain WSMini6-F1-B SC-113DA ― Panasonic JEITA Code Internal Connection *1 t = 10 μs, Duty Cycle < 1% *2 Measuring on Glass epoxy board (25.4  25.4  t0.8 mm) coated with copper foil, which has more than 300 mm 2 Absolute maximum rating without heat sink for PD is 150 mW. Pin Name 1. Drain 2. Drain 3. Gate 4. Source 5. Drain 6. Drain Page 1 of 6 Established : 2010-06-07 Revised : 2013-07-01  PDF

Документация на FK6K02010L 

FK6K0201 Ver. CED

Дата модификации: 07.06.2018

Размер: 266 Кб

7 стр.

• найти FK6K0201.pdf

Товары серии FK6K0201