Серия FET транзисторов FK6K0201

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Корпус	WSMini6-F1-B
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора
	Максимальное напряжение затвора
	Рассеиваемая мощность
	Ёмкость затвора

Документация на серию FK6K0201

Doc No. TT4-EA-12566 Revision. 2 Product Standards MOS FET FK6K02010L FK6K02010L Silicon N-channel MOS FET Unit : mm 2.0 For switching 0.2 0.13 6 5 4 1 2 3  Features 1.7 2.1  Low drain-source On-state Resistance:RDS(on)typ. = 13 m （VGS = 4.5 V)  Low drive voltage: 2.5 V drive  Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant) 0.7  Marking Symbol : TA (0.65)(0.65) 1.3  Packaging Embossed type (Thermo-compression sealing): 3 000 pcs / reel (standard) 1. Drain 2. Drain 3. Gate  Absolute Maximum Ratings Ta = 25C Parameter Symbol Drain-source surrender voltage Gate-source surrender voltage Drain current Peak drain current *1 Power dissipation *2 Channel temperature Operating ambient temperature Storage temperature Note) VDSS VGSS ID IDp PD Tch Topr Tstg Rating Unit 20 10 4.5 18 700 150 -40 to + 85 -55 to +150 V V A A mW C C C 4. Source 5. Drain 6. Drain WSMini6-F1-B SC-113DA ― Panasonic JEITA Code Internal Connection *1 t = 10 μs, Duty Cycle < 1% *2 Measuring on Glass epoxy board (25.4  25.4  t0.8 mm) coated with copper foil, which has more than 300 mm 2 Absolute maximum rating without heat sink for PD is 150 mW. Pin Name 1. Drain 2. Drain 3. Gate 4. Source 5. Drain 6. Drain Page 1 of 6 Established : 2010-06-07 Revised : 2013-07-01  PDF

Документация на FK6K02010L 

FK6K0201 Ver. CED

Дата модификации: 07.06.2018

Размер: 266 Кб

7 стр.

• найти FK6K0201.pdf

Товары серии FK6K0201