Серия IGBT силовых модулей STGE200NB60S

Общие характеристики

Раздел IGBT силовые модули
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Импульсный ток
Максимальная рассеиваемая мощность

Документация на серию STGE200NB60S

    Товары серии STGE200NB60S

    Наименование i Упаковка
    STGE200NB60S (ST) IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP в линейках 10 шт

    STGE200NB60S публикации

    30 ноября 2011
    статья

    Транзистор «от шефа»: особенности IGBT компании STMicroelectronics

    В начале 1980–х годов была создана полупроводниковая технология, объединяющая преимущества высокого входного сопротивления МОП–транзисторов и низкого сопротивления и малого времени переключения биполярных транзисторов. Выпускаемые... ...читать

    24 февраля 2009
    статья

    Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics

    Принцип работы полевого МОП–транзистора MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) основан на дрейфе основных носителей заряда через проводящий слой – канал, в результате действия перпендикулярного току... ...читать