Серия выпрямительных диодов 1N4006

Taiwan Semiconductor

Общие характеристики

 Раздел Выпрямительные диоды
Корпус DO-204AC DO-15
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура

Документация на серию 1N4006

1N4001G-K – 1N4007G-K Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 1000V Standard Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction High current capability, Low VF High reliability High surge current capability Low power loss, high efficiency RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package DO-204AL (DO-41) Configuration Single die ● DC to DC converter ● Switching mode converters and inverters ● General purpose MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-204AL (DO-41) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.330g (approximately) DO-204AL (DO-41) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N SYMBOL 4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G UNIT -K -K -K -K -K -K -K 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load Junction temperature IF 1 A IFSM 30 A TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C 1 Version: B2104 PDF
Документация на 1N4006G-KA0G 

Дата модификации: 27.04.2021

Размер: 374.4 Кб

5 стр.

    Товары серии 1N4006

    Наименование i Упаковка
    1N4006G-KA0G (TSC)