Серия выпрямительных диодов MUR110

Taiwan Semiconductor

Общие характеристики

 Раздел Выпрямительные диоды
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж

Документация на серию MUR110

MUR105S – MUR160S Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 600V Ultra Fast Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Ultra Fast recovery time for high efficiency Low forward voltage, low power loss Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 600 V IFSM 40, 35 A TJ MAX 175 °C APPLICATIONS ● ● ● ● Package DO-214AA (SMB) Configuration Single die Switching mode power supply (SMPS) Adapters Lighting application Converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.090g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER MUR SYMBOL MUR MUR MUR MUR MUR 105S 110S 115S 120S 140S 160S Marking code on the device MUR MUR MUR MUR MUR MUR 105S 110S 115S 120S 140S 160S UNIT Repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 400 600 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 35 70 105 140 280 420 V Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Junction temperature IF 1 IFSM TJ - 55 to +175 °C Storage temperature TSTG - 55 to +175 °C 40 1 A 35 A Version: L2102 PDF
Документация на MUR110S 

Дата модификации: 09.03.2021

Размер: 421.7 Кб

6 стр.

    Товары серии MUR110

    Наименование i Упаковка
    MUR110S (TSC)
     
    		3000 шт
    MUR110SR5 (TSC)