Серия FET транзисторов TSM320N03CX

Общие характеристики

	Раздел	FET транзисторы
	Корпус	SOT-23-3
	Конфигурация и полярность
	Максимальное напряжение сток-исток
	Ток стока номинальный при 25°C
	Сопротивление открытого канала (мин)
	Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
	Диапазон номинальных напряжений затвора
	Максимальное напряжение затвора
	Заряд затвора
	Рассеиваемая мощность
	Ёмкость затвора
	Особенности

Документация на серию TSM320N03CX

TSM320N03CX Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 30V, 5.5A, 32mΩ FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS ● Low RDS(ON) to minimize conductive losses ● Low gate charge for fast power switching ● Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VDS 30 V RDS(on) VGS = 4.5V 32 (max) VGS = 2.5V 40 mΩ Qg 8.9 nC APPLICATIONS ● Battery Power Management ● ORing FET/Load Switch SOT-23 Note: MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) SYMBOL LIMIT UNIT Drain-Source Voltage PARAMETER VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Continuous Drain Current (Note 1) TC = 25°C ID TA = 25°C Pulsed Drain Current Total Power Dissipation Total Power Dissipation IDM TC = 25°C TC = 125°C TA = 25°C TA = 125°C Operating Junction and Storage Temperature Range PD PD 5.5 4 22 1.8 0.4 1 0.2 A A W W TJ, TSTG - 55 to +150 °C SYMBOL LIMIT UNIT Junction to Case Thermal Resistance RӨJC 70 °C/W Junction to Ambient Thermal Resistance RӨJA 124 °C/W THERMAL PERFORMANCE PARAMETER Thermal Performance Note: RӨJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistances. The casethermal reference is defined at the solder mounting surface of the drain pins. R ӨJA is guaranteed by design while RӨCA is determined by the user’s board design. 1 Version: C1811  PDF

Документация на TSM320N03CX RFG 

Дата модификации: 16.11.2018

Размер: 405.4 Кб

6 стр.

• найти TSM320N03CX.pdf

Товары серии TSM320N03CX