Серия FET транзисторов WMx80N65C4

WAYON

Общие характеристики

 Раздел FET транзисторы
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность

Документация на серию WMx80N65C4

WM MJ80N65C C4 650V 0.033Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C4 is Wa ayon’s 4th generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C4 is suitable fo or applicattions which h require superior G power density and outstanding efficiency. D S TO O-247 Features  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.03 33Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol WMJ80N65C4 Unit VDSSS 650 V ID 80 A 45 A IDM M 245 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 850 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 1.2 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 6 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD 410 W 3.28 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 80 A IS,puulse 245 A Symbol WMJ80N65C4 Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.3 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 °C/W Drain-sourcce voltage Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current Thermal Character C ristics Parametter Rev.3.0, 20 020 Doc.W08 865063 1/7 PDF
Документация на WMJ80N65C4 

Microsoft Word - WMx80N65C4 W0865063 V3.0

Дата модификации: 15.09.2022

Размер: 545.1 Кб

7 стр.

    Товары серии WMx80N65C4

    Наименование i Упаковка
    WMJ80N65C4 (WAYON)
     
    		в линейках 30 шт