Метка — GaN Записей: 6, Страница: 1 из 1

07 июня 2017

1EDN - новое семейство драйверов для IGBT, MOSFET и GaN транзисторов

Компания Infineon выпустила новую линейку драйверов 1EDN для управления затворами любых силовых транзисторов на высоких частотах в схемах высокоэффективных преобразователей мощности. 1EDN7511, 1EDN8511, 1EDN7512 — одноканальные драйверы с... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
15 сентября 2016

Семинар «Промышленная революция 4.0 (Industry 4.0): элементная база» (28.09.2016, Чебоксары)

Компания Компэл, совместно с компанией Texas Instruments и НТК Мостэк, приглашают вас принять участие в семинаре «Промышленная революция 4.0 (Industry 4.0): элементная база», который состоится 28 сентября в Чебоксарах. В условиях непрерывного... ...читать

Рубрики: мероприятие, новость
Группы товаров: интегральные микросхемы, источники питания, датчики
25 августа 2016

Семинар «Время эффективных решений с TI» (22.09.2016, Екатеринбург)

Компания Компэл совместно с компанией Texas Instruments приглашает вас принять участие в семинаре «Время эффективных решений с TI», который состоится 22 сентября в Екатеринбурге. Аналогичное мероприятие пройдет 20 сентября в Новосибирске. Семинар... ...читать

Рубрики: мероприятие, новость
Группы товаров: интегральные микросхемы, беспроводные технологии
25 августа 2016

Семинар «Время эффективных решений с TI» (20.09.2016, Новосибирск)

Компания Компэл совместно с компанией Texas Instruments приглашает вас принять участие в семинаре «Время эффективных решений с TI», который состоится 20 сентября в Новосибирске. Аналогичное мероприятие пройдет 22 сентября в Екатеринбурге. Семинар... ...читать

Рубрики: мероприятие, новость
Группы товаров: интегральные микросхемы, беспроводные технологии
27 августа 2015

Мощные нитрид-галлиевые транзисторы (GaN) от EPC – конец эры кремния?

До недавнего времени преимущества силовых транзисторов на нитриде галлия перед кремниевыми было невозможно реализовать на практике из-за того, что в обычных условиях они являются нормально-открытыми. Благодаря разработанной компанией EPC... ...читать

Рубрики: статья
26 февраля 2010

Первый GaN силовой модуль 0.6...5.5В 30А 3МГц от IR

Мини-блоки IP201x IP2010 и IP2011 предназначены для универсальных сильноточных многофазных синхронных понижающих преобразователей. Каждый мини-блок в корпусе LGA размерами 7.7×6.5мм и содержит все необходимые элементы (силовые транзисторы,... ...читать

Рубрики: новость