Метка — MOSFET Записей: 154, Страница: 1 из 16

03 августа

Новые 1200V SiC MOSFET третьего поколения C3M от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (CREE POWER) продолжает расширять семейство SiC MOSFET третьего поколения C3M, представив транзисторы на 1200 В с сопротивлением канала 75 мОм в корпусах TO-247-4L (C3M0075120K) и TO-263-7L (C3M0075120J). Приборы оснащены... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
23 июля

600V CoolMOS CFD7 MOSFET - идеальное решение для мощных резонансных преобразователей

Резонансные источники питания (ИП) занимают все большую долю рынка. Именно для таких применений предназначена новая серия 600 В MOSFET CoolMOS™ CFD7 от Infineon. Транзисторы представлены как в выводных (TO-220, TO-220 FP, TO-247), так и SMD... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
21 июня 2018

CoolMOS C7 Gold - флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon

Семейство CoolMOS™ C7 Gold (или G7) является на данный момент наиболее технологичным в портфолио высоковольтных MOSFET транзисторов от Infineon и включает в себя варианты на 600 В и 650 В в SMD корпусе TOLL (от английского TO Leadless). 600... ...читать

Рубрики: расширение склада, новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
25 мая 2018

Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

Тепловые характеристики новых 650-вольтовых МОП-транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой... ...читать

Рубрики: примеры применений
25 мая 2018

1EDC - новые 1200V изолированные драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

1EDC — новые одноканальные изолированные драйверы затвора силовых транзисторов в преобразователях до 1200 В. Драйверы сочетают в себе высокую надежность и конкурентную цену. Новые драйверы выдерживают напряжение 3000 В в течение 1 секунды.... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: интегральные микросхемы
10 мая 2018

1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
04 апреля 2018

Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO-220 FP Narrow Lead и SOT-223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы в корпусе... ...читать

Рубрики: расширение склада, новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
21 марта 2018

Новые 200-300V StrongIRFET от Infineon в корпусе TO-247AC

Транзисторы семейства StrongIRFET™ от Infineon позиционируются как замена недорогим MOSFET, выполненным по планарной технологии. Новые транзисторы характеризуются высоким уровнем допустимой токовой нагрузки, низкими значениями RDS(on),... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
28 февраля 2018

IRS2890D - новый полумостовой 600V драйвер MOSFET от Infineon

Компания Infineon пополнила семейство драйверов силовых транзисторов, представив новый двухканальный полумостовой драйвер IRS2890D, который предназначен для управления как IGBT, так и MOSFET транзисторами. Драйвер идеально подходит для построения... ...читать

Рубрики: расширение склада
Группы товаров: интегральные микросхемы
25 декабря 2017

CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

Рубрики: примеры применений