Метка — MOSFET Записей: 149, Страница: 1 из 15

10 мая

1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
04 апреля 2018

Расширение номенклатуры 800V CoolMOS P7 транзисторов

Infineon расширила семейство 800 В MOSFET CoolMOS™ P7 транзисторами в корпусах TO-220 FP Narrow Lead и SOT-223. Кроме этого, появились дополнительные представители семейства в ранее анонсированных корпусах. Например, транзисторы в корпусе... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы, расширение склада
Группы товаров: дискретные полупроводники
21 марта 2018

Новые 200-300V StrongIRFET от Infineon в корпусе TO-247AC

Транзисторы семейства StrongIRFET™ от Infineon позиционируются как замена недорогим MOSFET, выполненным по планарной технологии. Новые транзисторы характеризуются высоким уровнем допустимой токовой нагрузки, низкими значениями RDS(on),... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
28 февраля 2018

IRS2890D - новый полумостовой 600V драйвер MOSFET от Infineon

Компания Infineon пополнила семейство драйверов силовых транзисторов, представив новый двухканальный полумостовой драйвер IRS2890D, который предназначен для управления как IGBT, так и MOSFET транзисторами. Драйвер идеально подходит для построения... ...читать

Рубрики: расширение склада
Группы товаров: интегральные микросхемы
25 декабря 2017

CoolMOS P7: баланс эффективности и простоты использования в силовых преобразователях

Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры... ...читать

Рубрики: примеры применений
04 декабря 2017

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как... ...читать

Рубрики: примеры применений
24 ноября 2017
MDmesh-K5

MDmesh K5 – Новые 900V MOSFET от STMicroelectronics

Компания STMicroelectronics расширила линейку силовых MOSFET транзисторов семейства K5, представив новую 900 В версию. Благодаря использованию 900 В транзисторов  MDmeshTM K5 может быть обеспечена повышенная надежность сетевого преобразователя... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы
Группы товаров: дискретные полупроводники
13 ноября 2017
2EDL-INFINEON

2EDL - новые полумостовые драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

Компания Infineon запустила производство двухканальных драйверов силовых транзисторов в полумостовой схеме. Новые драйверы 2EDL рассчитаны на напряжение смещения до 600 В и сочетают в себе высокую надежность и низкую стоимость. Межканальная... ...читать

Рубрики: расширение склада
Группы товаров: интегральные микросхемы
24 августа 2017

CoolMOS™ P7 - новые 600V и 700V силовые MOSFET

Линейка CoolMOS™ P7 Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями. MOSFET... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы, расширение склада
Группы товаров: дискретные полупроводники
02 августа 2017

OptiMOS™ 5 150V – новое слово в области низковольных MOSFET

Линейка MOSFET транзисторов Infineon OptiMOS™ 5 на 150В находит свое применение в низковольтных преобразователях мощности. Транзисторы новой серии получили улучшенное сопротивление RDS(on), что дает значительное уменьшение потерь проводимости.... ...читать

Рубрики: новинки элементной базы, расширение склада
Группы товаров: дискретные полупроводники