Метка — MOSFET Записей: 158, Страница: 1 из 16

сегодня

Гетероструктурные транзисторы CoolGaN™ – преимущества и особенности управления

Гетероструктурные полевые транзисторы (HFET) производства Infineon позволили построить силовые преобразователи по новым схемам и достичь КПД 99%. Как ожидается, они вскоре станут стандартом силовой электроники. Хотя возможности кремниевых... ...читать

Рубрики: статья
28 июня

Интеллектуальные силовые модули CIPOS™ Mini IPM. Техническое описание. Часть 1

Семейство высокоинтегрированных интеллектуальных силовых модулей CIPOSTM Mini производства Infineon ориентировано на получение минимальных габаритов и повышенной плотности мощности устройств преобразовательной техники. В них содержатся силовые... ...читать

Рубрики: статья
29 декабря 2018

Интеллектуальные силовые модули CIPOS Micro от Infineon

Infineon является одним из лидеров в области производства интеллектуальных силовых модулей (Intelligent Power Modules, IPM). Эти микросхемы выступают в качестве интерфейса между низковольтной управляющей логикой, например, микроконтроллерами и... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
18 сентября 2018

1EDN7550 и 1EDN8550 - новые драйверы MOSFET с дифференциальными входами

1EDN7550 и 1EDN8550 — новые одноканальные драйверы силовых MOSFET-транзисторов с дифференциальным входом от компании Infineon. Новые драйверы обладают отличным подавлением синфазных помех управляющего сигнала (+72/-84 В статического... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
03 августа 2018

Новые 1200V SiC MOSFET третьего поколения C3M от Wolfspeed

Компания Wolfspeed (CREE POWER) продолжает расширять семейство SiC MOSFET третьего поколения C3M, представив транзисторы на 1200 В с сопротивлением канала 75 мОм в корпусах TO-247-4L (C3M0075120K) и TO-263-7L (C3M0075120J). Приборы оснащены... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
23 июля 2018

600V CoolMOS CFD7 MOSFET - идеальное решение для мощных резонансных преобразователей

Резонансные источники питания (ИП) занимают все большую долю рынка. Именно для таких применений предназначена новая серия 600 В MOSFET CoolMOS™ CFD7 от Infineon. Транзисторы представлены как в выводных (TO-220, TO-220 FP, TO-247), так и SMD... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
21 июня 2018

CoolMOS C7 Gold - флагманская линейка 600/650V MOSFET от Infineon

Семейство CoolMOS™ C7 Gold (или G7) является на данный момент наиболее технологичным в портфолио высоковольтных MOSFET транзисторов от Infineon и включает в себя варианты на 600 В и 650 В в SMD корпусе TOLL (от английского TO Leadless). 600... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
25 мая 2018

Впервые в безвыводных корпусах: повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

Тепловые характеристики новых 650-вольтовых МОП-транзисторов IPT65R033G7 и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой... ...читать

Рубрики: статья
25 мая 2018

1EDC - новые 1200V изолированные драйверы MOSFET и IGBT от Infineon

1EDC — новые одноканальные изолированные драйверы затвора силовых транзисторов в преобразователях до 1200 В. Драйверы сочетают в себе высокую надежность и конкурентную цену. Новые драйверы выдерживают напряжение 3000 В в течение 1 секунды.... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: интегральные микросхемы
10 мая 2018

1200V SiC MOSFET модули в корпусе EasyDUAL 1B

Компания Infineon представила MOSFET модули в корпусе EasyDUAL™ 1B из новой линейки карбид-кремниевых приборов CoolSiC™. Максимальное напряжение сток-исток приборов составляет 1200 В, топология соединения – полумост. Модули оснащены... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники