Метка — SiC Записей: 17, Страница: 1 из 2

28 июня 2018

CoolSiC G6 - новое поколение 650V SiC диодов от Infineon

CoolSiC™ G6 — новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
01 июня 2018

Преимущества использования новых SiC-диодов Infineon в AC/DC-преобразователях

Шестое поколение выпускаемых компанией Infineon диодов Шоттки на основе карбида кремния – это высокий КПД во всем диапазоне нагрузок, повышение удельной мощности и лучшее в своем классе минимальное падение напряжения. Последнее обеспечивает их... ...читать

Рубрики: статья
04 декабря 2017

Прорыв в технологиях широкозонных материалов предвещает начало масштабного внедрения SiC

Карбид кремния давно считается перспективнейшим материалом электроники. Но, кажется, только теперь индустрия действительно подошла вплотную к внедрению его в массовое производство. И в первых рядах этого процесса вновь стоит компания Infineon, как... ...читать

Рубрики: статья
19 июля 2017

Первый в мире 1000V SiC MOSFET

Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
16 июня 2017

CoolSiC™: новая революция в области MOSFET

Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию... ...читать

Рубрики: статья
11 мая 2017

Дорогу карбиду кремния! – диоды Шоттки производства Littelfuse

Карбид кремния (SiC) – один из наиболее перспективных полупроводниковых материалов. Он отличается от традиционного кремния возможностью получения более высоких значений рабочего напряжения, меньшим уровнем статических и динамических потерь,... ...читать

Рубрики: статья
17 марта 2017

LFUSCD - мощные SiC диоды Шоттки от Littelfuse

Семейство диодов LFUSCD относится к новейшему классу выпрямительных диодов Шоттки, изготовленных по карбид-кремниевой технологии (SiC — Silicon carbide). Данная технология предлагает существенное улучшение (по сравнению со стандартными... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
23 ноября 2016

IHM, IHV и PrimePACK – мощные силовые модули от Infineon

На склад Компэл поступили мощные силовые IGBT модули Infineon, предназначенные для коммутации больших токов и высоких напряжений. Они находят применение в инверторах различной конфигурации, сварочном оборудовании, источниках бесперебойного питания... ...читать

Рубрики: новость
Группы товаров: дискретные полупроводники
07 марта 2013

CAS100H12AM1 - полумостовой SiC MOSFET модуль от CREE POWER

Компания CREE POWER представляет первый полумостовой MOSFET модуль CAS100H12AM1, выполненный на основе карбида кремния (SiC). Предлагаемые модули рассчитаны на рабочее напряжение сток – исток 1200 В и ток 100 А (при температуре 100°С). Данные... ...читать

Рубрики: новость
02 января 2013

STPSC2006CW - высоковольтный SiC диод Шоттки

STPSC2006CW – сдвоенный 600 В диод Шоттки от STMicroelectronics изготовленный с использованием карбид-кремниевой (SiC) технологии. Диод обладает малым временем восстановления и минимальными выбросами при переходных процессах, причем эти... ...читать

Рубрики: новость