CJP140N04

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP140N04 V(BR)DSS 40V N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP ID 2.8mΩ@10V 140A TO-220-3L-C 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 1 2 3 DESCRIPTION The CJP140N04 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEA...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJP200G06B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 3000 шт
 
 — —
P- NCE40H21 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- CS1404A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
 — — —
P- JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
P- IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP140N04 V(BR)DSS 40V N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP ID 2.8mΩ@10V 140A TO-220-3L-C 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 1 2 3 DESCRIPTION The CJP140N04 uses shielded gate trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES   APPLICATIONS Low RDS(on) Low Gate Charge   MARKING P140N04 XXXX High efficiency power supply Secondary synchronus rectifier EQUIVALENT CIRCUIT P140N04 = Device code. Solid dot = Green molding compound device if none, the normal device. XXXX = Code. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ① ID 140 A Pulsed Drain Current ② IDM 420 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS③ 500 mJ ① Continuous Drain Current Power Dissipation PD Thermal Resistance from Junction to Case Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 146 W RθJC① 0.85 ℃/W TJ ,Tstg -55 ~+150 ℃ Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJP140N04 

Дата модификации: 09.11.2021

Размер: 3.58 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 февраля 2024
    новость

    Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)