CRSQ113N20N

CR Micro
CRSQ113N20N SkyMOS3 N-MOSFET 200V, 8.8mΩ, 110A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS3 technology VDS 200V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 8.8mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 110A • Qualified according to JEDEC criteria 100% Avalanche Tested 100% DVDS Tested Applications • Motor control and drive • Battery management...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP02T10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —
A+ JMSH2010PE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP02T10D (NCE)
 
TO263 в ленте 200 шт
 
 ± — — —
A+ CRSS109N20N (CRMICRO)
 
TO263
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRSQ113N20N SkyMOS3 N-MOSFET 200V, 8.8mΩ, 110A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS3 technology VDS 200V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 8.8mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 110A • Qualified according to JEDEC criteria 100% Avalanche Tested 100% DVDS Tested Applications • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) CRSQ113N20N Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRSQ113N20N - TO-247 Tube N/A N/A 30pcs Symbol Value Unit VDS 200 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) ID TC = 25°C (Package limit) TC = 100°C (Silicon limit) 110 180 A 71 Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) ID pulse 440 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω)[1] EAS 324 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 329 W Tj , T stg -55...+150 °C Operating junction and storage temperature ※. Notes:1.EAS is tested at starting Tj = 25℃, L = 0.5mH, IAS = 36A, Vgs=10V. Rev 1.0 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRSQ113N20N 

CRSQ113N20N(200V_8.8mR_110A) DS_v1.0.xlsx

Дата модификации: 07.03.2022

Размер: 1.29 Мб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)