2SC1815

DC Components
LS: транзистор NPN. 50 V. 150 mA. 400 mW. 80 MHz
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание LS: транзистор NPN. 50 V. 150 mA. 400 mW. 80 MHz
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ MMBTA06 (YOUTAI)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ MMBTA05 (YOUTAI)
 

MMBTA05 (ONS-FAIR) 		— 200 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA06 (JSCJ)
 

MMBTA06 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42 (JSCJ)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42 (YOUTAI)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ MMBT5551Q (YJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MMBTA06Q (YJ)
 
SOT-23-3 300 шт
 
 — — — —
A+ FMMT491 (JSCJ)
 

FMMT491 (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ FMMT491 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. 2SC1815 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in driver stage of AF amplifier general purpose amplification. TO-92 Pinning .190(4.83) .170(4.33) 1 = Emitter 2 = Collector 3 = Base o 2 Typ .190(4.83) .170(4.33) o 2 Typ Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Characteristic Symbol Rating .500 Min (12.70) Unit Collector-Base Voltage VCBO 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 150 mA Base Current IB 50 mA Total Power Dissipation PD 400 mW Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .022(0.56) .014(0.36) .050 Typ (1.27) .022(0.56) .014(0.36) .100 Typ (2.54) 3 2 1 .148(3.76) .132(3.36) .050 o o 5 Typ. 5 Typ. (1.27) Typ C Dimensions in inches and (millimeters) C Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Conditions Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO 60 - - V IC=100µA, IE=0 Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO 50 - - V IC=1mA, IB=0 Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO 5 - - V IE=10µA, IC=0 ICBO - - 100 nA VCB=60V, IE=0 IEBO - - 100 nA VEB=5V, IC=0 Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current (1) Collector-Emitter Saturation Voltage (1) Base-Emitter Saturation Voltage (1) DC Current Gain Transition Frequency Output Capacitance (1)Pulse Test: Pulse Width VCE(sat) - - 0.25 V IC=100mA, IB=10mA VBE(sat) - - 1 V IC=100mA, IB=10mA hFE1 70 - 700 - IC=2mA, VCE=6V hFE2 25 - - - IC=150mA, VCE=6V fT 80 - - MHz IC=1mA, VCE=10V - - 3.5 pF Cob 380µs, Duty Cycle 2% Classification of hFE1 Rank O Y GR BL Range 70~140 120~240 200~400 350~700 VCB=10V, f=1MHz, IE=0 PDF
Документация на 2SC1815 

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 150.4 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)