BC807-25

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BC807 PNP general purpose transistor Product specification Supersedes data of 1997 Feb 28 1999 Apr 08
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC807-40 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC807-25 (SHIKUES)
 

BC807-25 (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
P= BC807-25 (YJ)
 

BC807-25 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC807 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC807-40 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC807-16 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC807-40Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BC807-16 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= BC807-16 (JSCJ)
 
 
P= BC807-40 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= S-LBC807-40LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
P= BC807-16Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BC807-40W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBC807-40WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
P= BC807-25 (JSCJ)
 

BC807-25 (ONS-FAIR)
 
P= BC807-40 (JSCJ)
 
 
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.